曲面を有する半導体デバイスに露光する装置および方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004566395
Publication number (International publication number)：2006513569
Application date： Jan. 09, 2003
Publication date： Apr. 20, 2006
Summary：

半導体を製造するステーションは、球面半導体デバイスまたはボール(52)の表面領域(84)上に露光させる。マスクパターンジェネレータ (56)は集合的に像を表示するために、一時的変更を受ける光のパターンを与える。マスクパターンジェネレータは、全体像の部分を提供する能動露光輪郭(80)を有する。半導体デバイスの表面領域に、光のパターンがレンズ(62)で導かれる。半導体デバイスは、半導体デバイスの表面領域の部分上に光のパターンを露光させるために、光のパターンの一時的変更に応じて回転する。露光輪郭は、より狭い中心を有して、中心から離れるにつれて広くなる。そのようにして露光輪郭は、湾曲を有することができる。

Claim (excerpt)：

曲率を有する物体の表面上に露光させるための光装置であって、集合的に像を表示するために一時的変更を受ける光のパターンを提供するためのマスクと、物体上の光のパターンを集中させるために配置されるレンズと、物体の表面領域上に光のパターンを露光させるために、光のパターンの一時的変更に応じて物体を回転させるための物体に連結する軸を有するモータとを含む露光装置。

IPC (2)：

H01L 21/027 , G03F 7/24

FI (2)：

H01L21/30 514B , G03F7/24 H

F-Term (7)：

5F046BA05 , 5F046BA06 , 5F046CA02 , 5F046CB18 , 5F046CC08 , 5F046CC13 , 5F046CD01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

露光装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-107456 Applicant：宮崎沖電気株式会社, 沖電気工業株式会社
球状ICの露光方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-209476 Applicant：株式会社三井ハイテック
投影露光装置及び露光方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-099013 Applicant：キヤノン株式会社

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Cited by examiner (8)

露光装置及び半導体装置の製造方法
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球状ICの露光方法
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投影露光装置及び露光方法
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