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J-GLOBAL ID：200903045198941882

半導体光素子の製造方法

Inventor：
花巻 吉彦

About 花巻 吉彦

, 
小野 健一

About 小野 健一


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (2)： 高田 守 ,  高橋 英樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007068538
Publication number (International publication number)：2008235329
Application date： Mar. 16, 2007
Publication date： Oct. 02, 2008
Summary：
【課題】本発明は半導体光素子の製造方法に関し動作時の素子抵抗値が設計値と一致する半導体光素子を提供する事を目的とする。【解決手段】不純物ドープされた、第一導電型であるBDR(Band Discontinuity reduction)層形成のためのBDR層形成工程と、BDR層に接し、BDR層成長後に堆積される、電極形成のための、前記不純物と同一の不純物がドープされた第一導電型であるコンタクト層形成のためのコンタクト層形成工程と、コンタクト層形成工程後に熱処理を行うための、熱処理工程と、を備える。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
第一の不純物がドープされた、第一導電型であるBDR(Band Discontinuity reduction)層形成のためのBDR層形成工程と、 前記BDR層に接し、前記BDR層成長後に堆積される、電極形成のための、前記第一の不純物と第ニの不純物がドープされた、第一導電型であるコンタクト層形成のための、コンタクト層形成工程と、 前記コンタクト層形成工程後に熱処理を行うための、熱処理工程と、 を有する半導体光素子の製造方法。
IPC (3)：
H01S 5/042 ,  H01S 5/323 ,  H01L 33/00
FI (3)：
H01S5/042 614 ,  H01S5/323 ,  H01L33/00 E
F-Term (31)：
5F041AA24 ,  5F041CA49 ,  5F041CA53 ,  5F041CA56 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F173AA05 ,  5F173AA08 ,  5F173AF24 ,  5F173AF64 ,  5F173AF75 ,  5F173AF78 ,  5F173AG12 ,  5F173AG20 ,  5F173AH02 ,  5F173AH14 ,  5F173AJ03 ,  5F173AJ04 ,  5F173AJ05 ,  5F173AJ06 ,  5F173AJ13 ,  5F173AJ20 ,  5F173AJ43 ,  5F173AK13 ,  5F173AP05 ,  5F173AP53 ,  5F173AP57 ,  5F173AP62 ,  5F173AQ12 ,  5F173AR64
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (8)
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