炭化珪素トランジスタ装置及びその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005065469
Publication number (International publication number)：2006253292
Application date： Mar. 09, 2005
Publication date： Sep. 21, 2006
Summary：

【課題】炭化珪素トランジスタ装置の、微細化によるデバイス特性改善を阻む要因を除去する。【解決手段】高濃度n型炭化珪素基板(2)表面上にエピタキシャル成長により低濃度n型ドリフト層(3)、更に、互いに離間した複数の高濃度p型ゲート領域(4)を形成し、該構造上に低濃度n型チャネル領域(7)と低濃度n型領域1(9)をエピタキシャル成長させ、イオン注入により高濃度n型ソース領域(5)を形成し、前記高濃度n型ソース領域(5)上へソース電極(6)、ドライエッチングによりデバイスセル外に露出した高濃度p型層(10)上へゲート電極(8)、高濃度n型炭化珪素基板(2)の裏面にドレイン電極(1)を形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

高濃度n型炭化珪素基板と、該高濃度n型炭化珪素基板表面上にエピタキシャル成長により形成された低濃度n型ドリフト層と、該低濃度n型ドリフト層上の互いに離間した複数の高濃度p型ゲート領域と、同一のエピタキシャル成長工程により同一不純物濃度を有するように形成され、互いに隣り合った前記高濃度p型ゲート領域の間に位置する低濃度n型チャネル領域と、該低濃度n型チャネル領域及び前記高濃度p型ゲート領域上部に位置する低濃度n型領域1と、該低濃度n型領域1上にあってn型不純物イオン注入により形成された高濃度n型ソース領域と、該高濃度n型ソース領域上に形成されたソース電極、前記高濃度n型炭化珪素基板の裏面に形成されたドレイン電極、及び前記高濃度p型ゲート領域に電気的に接続されたゲート電極から構成されていることを特徴とする炭化珪素トランジスタ装置。

IPC (3)：

H01L 29/80 , H01L 29/808 , H01L 21/337

FI (2)：

H01L29/80 V , H01L29/80 C

F-Term (12)：

5F102FB01 , 5F102GB04 , 5F102GC08 , 5F102GD04 , 5F102GJ02 , 5F102GL02 , 5F102GR01 , 5F102GR06 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC15 , 5F102HC21

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

炭化珪素半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-260217 Applicant：株式会社デンソー

Cited by examiner (7)

縦形接合形電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-165007 Applicant：株式会社豊田中央研究所
炭化珪素半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-390577 Applicant：株式会社デンソー
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-198937 Applicant：株式会社トーキン

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