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J-GLOBAL ID：200903049492166752

半導体レンズおよびそれを用いた赤外線検出装置、半導体レンズの製造方法

Inventor：
本多 由明

About 本多 由明

, 
西川 尚之

About 西川 尚之

, 
上津 智宏

About 上津 智宏


Applicant, Patent owner：
松下電工株式会社

About 松下電工株式会社


Agent (2)： 西川 惠清 ,  森 厚夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006319038
Publication number (International publication number)：2007292720
Application date： Nov. 27, 2006
Publication date： Nov. 08, 2007
Summary：
【課題】レンズ部以外の部位であるベース部を通して赤外線検出素子の受光面へ赤外線が入射するのを防止することが可能な半導体レンズおよびそれを用いた赤外線検出装置、半導体レンズの製造方法を提供する。【解決手段】赤外線検出装置は、赤外線検出素子1と、当該赤外線検出素子1を収納するパッケージ2とを備えている。半導体レンズ3は、パッケージ2において赤外線検出素子1の受光面の前方に形成された矩形状の透光窓23を覆うようにパッケージ2の内側から配設される。半導体レンズ3は、赤外線検出素子1の受光面へ赤外線を集光するレンズ部3a以外の部位であるベース部3bの外周形状が矩形状に形成されている。また、半導体レンズ3は、透光窓23の内側に位置するベース部3bを通して赤外線検出素子1の受光面へ入射しようとする赤外線を吸収することで阻止する赤外線阻止層3cを備えている。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
赤外線検出素子を収納するパッケージにおいて赤外線検出素子の受光面の前方に形成された透光窓を覆うようにパッケージの内側から配設され、赤外線検出素子の受光面へ赤外線を集光するレンズ部を有する半導体レンズであって、透光窓の内側に位置するレンズ部以外の部位であるベース部に、赤外線を吸収することで赤外線を阻止する赤外線阻止層が設けられてなることを特徴とする半導体レンズ。
IPC (4)：
G01J 1/02 ,  G01J 1/06 ,  G02B 1/10 ,  G02B 5/22
FI (4)：
G01J1/02 H ,  G01J1/06 A ,  G02B1/10 Z ,  G02B5/22
F-Term (19)：
2G065AA04 ,  2G065AB02 ,  2G065BA11 ,  2G065BA12 ,  2G065BA13 ,  2G065BA37 ,  2G065BB06 ,  2G065BB46 ,  2G065CA01 ,  2G065CA23 ,  2H048CA05 ,  2H048CA09 ,  2H048CA12 ,  2H048CA20 ,  2K009AA03 ,  2K009BB01 ,  2K009CC03 ,  2K009DD03 ,  2K009DD04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (12)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)
  • 3D Structuring of c-Si using porous Silicon as sacrificial Material

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