極端紫外光源装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：宇都宮正明 , 渡部温 , 柳瀬睦肇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004261871
Publication number (International publication number)：2006080255
Application date： Sep. 09, 2004
Publication date： Mar. 23, 2006
Summary：

【課題】 EUV光源装置において、ミラーコーティングに有害であるとされるデブリから集光ミラーを保護する。【解決手段】ターゲットにレーザビームを照射することにより極端紫外光を発生する光源装置であって、極端紫外光の生成が行われるチャンバ100と、該チャンバ内にターゲットとなる物質を供給するターゲット噴射装置120及びターゲット噴射ノズル121と、ターゲットにレーザビームを照射することによりプラズマを発生させるレーザ光源110と、プラズマから放射される極端紫外光を集光する集光ミラー102と、プラズマから放出される粒子に含まれている中性粒子をイオン化して帯電粒子とするX線源132と、少なくとも、X線源によってイオン化された中性粒子をトラップするために、チャンバ内に磁場を形成する磁石130及び131とを含む。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ターゲットにレーザビームを照射することにより極端紫外光を発生する光源装置であって、極端紫外光の生成が行われるチャンバと、前記チャンバ内に前記ターゲットとなる物質を供給するターゲット供給手段と、前記ターゲットにレーザビームを照射することによりプラズマを発生させるレーザ光源と、前記プラズマから放射される極端紫外光を集光する集光光学系と、前記プラズマから放出される粒子に含まれている中性粒子をイオン化して帯電粒子とするイオン化手段と、少なくとも、前記イオン化手段によってイオン化された帯電粒子をトラップするために、前記チャンバ内に磁場を形成する磁場形成手段と、を具備する極端紫外光源装置。

IPC (6)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 , G21K 5/00 , G21K 5/02 , H05H 1/24 , H05G 2/00

FI (6)：

H01L21/30 531S , G03F7/20 521 , G21K5/00 Z , G21K5/02 X , H05H1/24 , H05G1/00 K

F-Term (6)：

4C092AA07 , 4C092AA14 , 4C092AA15 , 4C092AB19 , 4C092AC09 , 5F046GC03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

特許第3433151号公報(第2,3頁、図1)
特許第2552433号公報(第2,4頁、図1)
デブリ軽減システムを有するリソグラフィ装置、デブリ軽減システムを有するEUV放射線発生源、及びデブリを軽減させる方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2006-546878 Applicant：エーエスエムエルネザーランズビー.ブイ.

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Cited by examiner (8)

レーザープラズマX線源のデブリス除去方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-149267 Applicant：関西電力株式会社, 財団法人レーザー技術総合研究所, 中井貞雄
レーザプラズマX線源およびそれを用いた半導体露光装置並びに半導体露光方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-024731 Applicant：株式会社日立製作所
特開平1-265443

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