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J-GLOBAL ID：200903051499492862

蛍光体

Inventor： 須田 順子 ,  本多 健一 ,  佐藤 義孝 ,  土岐 均
Applicant, Patent owner： 双葉電子工業株式会社
Agent (1)： 西村 教光 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999226454
Publication number (International publication number)：2001049250
Application date： Aug. 10, 1999
Publication date： Feb. 20, 2001
Summary：

【要約】【課題】発光効率が高く、添加元素の選択によって電子線励起により各種の発光色を実現でき、寿命特性にも優れた蛍光体を提供する。【解決手段】 3gのGa2 S3 にZnOを0.6g混合してアルミナボートに載せ、管状炉内で350ml/minのアンモニアを流しながら1180°C以上で加熱し、約3時間ホールドした。白色のGaN粉末を得た。SEM観察によれば柱状結晶である。X線回折分析によれば六方晶GaNである。2θ=34°の半値幅は、従来の丸い粒子状のGaN:Zn蛍光体が0.22であるのに対し、本例の柱状結晶のGaNは0.2未満となっており、結晶性が大幅に改善された。本例の柱状結晶のGaNの太さ長さ比は、1:1.5以上である。本例の蛍光体は、発光色が青色で従来品の約11倍の発光強度を示す。

Claim (excerpt)：

原料物質を昇華温度以上の温度に加熱して生成した粉体柱状のGa<SB>1-x </SB>In<SB>x </SB>N:A,B(但し0<x<1、A=Zn,Mg、B=Si,Ge)で表される蛍光体。

F-Term (10)：

4H001CA02 ,  4H001CA04 ,  4H001CF01 ,  4H001XA07 ,  4H001XA31 ,  4H001XA49 ,  4H001YA12 ,  4H001YA14 ,  4H001YA30 ,  4H001YA32

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 蛍光体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-100215   Applicant：双葉電子工業株式会社
• 蛍光体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-051494   Applicant：双葉電子工業株式会社
• 蛍光体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-043032   Applicant：双葉電子工業株式会社