Pat

J-GLOBAL ID：200903052484629442

中間基板とその製造方法

Inventor： ピンニングトン,トーマス,ヘンリー ,  ザーラー,ジェイムズ,エム ,  パク,ヨン-ベ ,  ツァイ,チャールズ ,  ラドウス,コリン ,  アトウォーター,ハリー,ジュニア,エイ ,  オルソン,ショーン
Applicant, Patent owner： エイオーネックス・テクノロジーズ・インコーポレイテッド
Agent (2)： 北村 修一郎 ,  山▲崎▼ 徹也
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2008507893
Publication number (International publication number)：2008538658
Application date： Apr. 21, 2006
Publication date： Oct. 30, 2008
Summary：

中間基板は、III族窒化物半導体層などの化合物半導体層のエピタキシャル成長に適した薄層に接合したハンドル基板を含む。ハンドル基板は、モリブデンまたはモリブデン合金の基板などの金属または合金の基板でよく、薄層はサファイア層でもよい。中間基板の製造方法は、ソース基板中に弱いインターフェースを形成し、ソース基板をハンドル基板に接合し、薄層がハンドル基板に接合したままにしてソース基板から薄層を剥離することを含む。

Claim (excerpt)：

中間基板であって、金属または合金を含むハンドル基板に接合する化合物半導体材料のエピタキシャル成長に適した薄層を備える中間基板。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01L33/00 C ,  H01L21/205

F-Term (23)：

5F041AA32 ,  5F041AA40 ,  5F041CA10 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA71 ,  5F041CB15 ,  5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF04 ,  5F045AF11 ,  5F045AF12 ,  5F045BB08 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

• 基板、特に光学、電子工学または電子光学用基板の製造方法、およびこの製造方法により得られる基板
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-544758   Applicant：エスオーイテクシリコンオンインシュレータテクノロジース
• エピタキシャル成長層の形成方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2006-520718   Applicant：エスオーイテクシリコンオンインシュレータテクノロジース
• 窒化アルミニウム基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-220310   Applicant：ソニー株式会社
• 光半導体素子収納用パッケージ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-183266   Applicant：京セラ株式会社
• 窒化アルミニウム基板、薄膜付き窒化アルミニウム基板およびこれからなるレーザー発光素子用サブマウント材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-394867   Applicant：株式会社東芝
• 半導体素子製造装置および半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-030756   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• III族窒化物半導体素子、III族窒化物半導体基板およびIII族窒化物半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-225342   Applicant：日本電気株式会社
• 窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-072692   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-285674   Applicant：株式会社東芝
• 窒化アルミニウム基板のメタライズ層形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-301843   Applicant：三菱マテリアル株式会社
• 複合セラミックス基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-344236   Applicant：株式会社東芝
• 窒化アルミニウム回路基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-299192   Applicant：新光電気工業株式会社