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J-GLOBAL ID：200903054024842280

半導体装置

Inventor： 増田 弘生 ,  原 和義
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体理工学研究センター
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002011989
Publication number (International publication number)：2003218349
Application date： Jan. 21, 2002
Publication date： Jul. 31, 2003
Summary：

【要約】【課題】【解決手段】半導体基板1上にゲート絶縁膜を介して形成され、複数の六角形状の配線がメッシュ状に配列されたゲート電極2と、1つの六角形の配線の内側の前記半導体基板1内に形成されたドレイン拡散層21と、内側にドレイン領域21,31,41,51が形成されている配線の周囲の複数の六角形のリング状の配線内に形成されたソース拡散層22,32,42,52とを具備する複数のユニットセルを具備し、各ユニットセルは、隣接するユニットセル内のソース拡散層を共有して配設された半導体装置であって、前記六角形は、内角が90 ゚の頂点部を二つ、内角が135 ゚の頂点部を四つ有し、内角が90 ゚の頂点部を結ぶ線分に対して線対称な図形であり、ドレイン配線層10は、前記線分に平行な辺と、前記線分に対して45度傾いた方向に平行な辺とから構成されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成され、複数の六角形状の配線がメッシュ状に配列されたゲート電極と、1つの六角形の配線の内側の前記半導体基板内に形成されたドレイン拡散層と、内側にドレイン領域が形成されている配線の周囲の複数の六角形のリング状の配線内に形成されたソース拡散層とを具備する複数のユニットセルを具備し、各ユニットセルは、隣接するユニットセル内のソース拡散層を共有して配設された半導体装置であって、前記半導体基板上に形成され、ソース拡散層に電気的に接続するソースコンタクトプラグと、前記半導体基板上に形成され、前記ソースコンタクトプラグに接続するソース配線層と、前記半導体基板上に形成され、ドレイン拡散層に電気的に接続するドレインコンタクトプラグと、前記半導体基板上に形成され、前記ドレインコンタクトプラグに接続するドレイン配線層とを具備し、前記六角形は、内角が90 ゚の頂点部を二つ、内角が135 ゚の頂点部を四つ有し、内角が90 ゚の頂点部を結ぶ線分に対して線対称な図形であり、前記ドレイン配線層は、前記線分に平行な辺と、前記線分に対して45度傾いた方向に平行な辺とから構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (7)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/82 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/43

FI (7)：

H01L 29/78 301 W ,  H01L 29/62 G ,  H01L 29/50 U ,  H01L 29/50 S ,  H01L 21/88 A ,  H01L 27/04 D ,  H01L 21/82 W

F-Term (37)：

4M104CC05 ,  4M104FF11 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20 ,  5F033MM21 ,  5F033RR04 ,  5F033UU04 ,  5F033VV03 ,  5F033VV06 ,  5F033WW00 ,  5F033XX03 ,  5F033XX27 ,  5F038CD02 ,  5F038CD03 ,  5F038CD13 ,  5F038CD20 ,  5F038EZ20 ,  5F064CC09 ,  5F064EE12 ,  5F064EE22 ,  5F064EE27 ,  5F064EE52 ,  5F140AA01 ,  5F140AA10 ,  5F140AA11 ,  5F140AA40 ,  5F140AB04 ,  5F140BF52 ,  5F140BH02 ,  5F140BH09 ,  5F140BH10 ,  5F140BJ27 ,  5F140CA01 ,  5F140CA06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

• 特開昭57-037875
  
• 溝型半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-214909   Applicant：日産自動車株式会社
• 溝型半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-121656   Applicant：日産自動車株式会社
• 静電破壊保護トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-309479   Applicant：ソニー株式会社
• MOSトランジスタとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-258373   Applicant：三洋電機株式会社
• セル型MOSトランジスタアレイ用のダイヤモンド形状ゲートメッシュ
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平7-514426   Applicant：マイクレル,インコーポレイテッド
• パワーMOSトランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-011317   Applicant：日本モトローラ株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-280085   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体集積回路装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-274953   Applicant：株式会社日立製作所