半導体装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：岩橋文雄 , 坂口智康 , 内藤浩樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002178104
Publication number (International publication number)：2004022930
Application date： Jun. 19, 2002
Publication date： Jan. 22, 2004
Summary：

【課題】水素雰囲気中での処理においても容量素子の特性劣化を防止できる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板101上に形成された容量素子112と、容量素子112を被覆するように形成された第1の水素透過防止膜107と第2の水素透過防止膜114を有し、第1の水素透過防止膜107と第2の水素透過防止膜114との接合界面部分に、両者の構成成分を熱処理によって相互拡散させることにより形成された接合強化層を備えている。これにより、水素が第1および第2の水素透過防止膜間の接合界面部分を拡散して容量素子内部に侵入することを極めて効果的に防止できる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された容量素子と、前記容量素子を被覆するように形成された複数の水素透過防止膜を有し、前記水素透過防止膜どうしの接合界面部分に接合強化層が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L27/105 , H01L21/8242 , H01L27/108

FI (3)：

H01L27/10 444B , H01L27/10 621B , H01L27/10 651

F-Term (12)：

5F083AD21 , 5F083FR02 , 5F083GA27 , 5F083JA06 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083PR33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-299789 Applicant：日本電気株式会社, シンメトリクスコーポレーション
強誘電体薄膜メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-089838 Applicant：セイコーエプソン株式会社
強誘電体メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-158556 Applicant：日本電気株式会社

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