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J-GLOBAL ID：200903055943251864

窒化物半導体発光素子の製造方法

Inventor：
梅本 整

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妹尾 雅之

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今泉 幾子

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丸岡 亜寿佳

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吉田 妃呂子

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Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

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Agent (1)： 豊栖 康司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003011426
Publication number (International publication number)：2003234512
Application date： Oct. 02, 1996
Publication date： Aug. 22, 2003
Summary：
【要約】【課題】 チップの接着性が大きく、かつ放熱性の高い発光素子の製造方法を実現する。【解決手段】 第1の主面と第2の主面とを有する酸化物基板の第1の主面側に窒化物半導体が成長され、第2の主面側にAl、Ti、Zr、Cr、Ni、Mo、W、Ge、Si、Sn、Zn、Cu、Mn、V、Nbよりなる群から選択された少なくとも一種の金属を含む第1の薄膜が形成された発光チップが、第1の薄膜と支持体表面とが対向した状態で、熱伝導性および導電性を有する接着剤を介して、支持体にダイボンディングされる。酸化物基板の第1の主面側に窒化物半導体が成長された後、第2の主面を研磨する工程を備える。また、第1の薄膜を形成する工程後あるいは第1の薄膜に熱伝導性および導電性を有する導電性接着剤層を形成した後にチップ化する工程を備える。
Claim (excerpt)：
第1の主面と第2の主面とを有する酸化物基板の第1の主面側に窒化物半導体が成長され、第2の主面側にAl、Ti、Zr、Cr、Ni、Mo、W、Ge、Si、Sn、Zn、Cu、Mn、V、Nbよりなる群から選択された少なくとも一種の金属を含む第1の薄膜が形成された発光チップが、第1の薄膜と支持体表面とが対向した状態で、熱伝導性および導電性を有する接着剤を介して、支持体にダイボンディングされてなる窒化物半導体発光素子の製造方法であって、前記酸化物基板の第1の主面側に窒化物半導体が成長された後、第2の主面を研磨する工程と、研磨された第2の主面上に前記第1の薄膜を形成する工程と、を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/022
FI (3)：
H01L 33/00 N ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/022
F-Term (11)：
5F041AA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041DA03 ,  5F041DA19 ,  5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073EA29 ,  5F073FA22
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (15)
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