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J-GLOBAL ID：200903057282807448

ジルコニウムおよびハフニウムシリケート膜形成用CVD原料組成物とその製法ならびにそれを用いたシリケート膜の製法

Inventor：
門倉 秀公

About 門倉 秀公

, 
竹下 克紀

About 竹下 克紀


Applicant, Patent owner：
株式会社高純度化学研究所

About 株式会社高純度化学研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000272283
Publication number (International publication number)：2002053960
Application date： Aug. 04, 2000
Publication date： Feb. 19, 2002
Summary：
【要約】【課題】ゲート絶縁膜として有用なジルコニウムシリケートあるいはハフニウムシリケート膜をCVD法で形成するための金属アルコキシド原料組成物を提供する。さらにその製法およびその組成物を用いた成膜方法を提供する。【解決手段】Zr(OtBu)4+Si(OtBu)4あるいはHf(OtBu)4+Si(OtBu)4は室温付近で一液体であり、その成分の気化特性や熱分解特性が近いので、CVD原料組成物として好適である。各成分を混合溶解後、蒸留することにより、パーティクルのない組成物を製造する。Zr(OtBu)4+Si(OtBu)4の一液組成物を液体マスフローで供給し、気化させ、酸素を含んだ雰囲気、600°CでCVDすることにより、アモルファス状のジルコニウムシリケート膜を形成できる。
Claim (excerpt)：
M(MはZrあるいはHfを表す)テトラターシャリブトキシドとテトラターシャリブトキシシランとからなるMシリケート膜形成用CVD原料組成物。
F-Term (3)：
4K030AA11 ,  4K030BA48 ,  4K030LA02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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