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J-GLOBAL ID：200903058114350358

発光装置とその作製方法及び薄膜形成装置

Inventor：
小沼 利光

About 小沼 利光

, 
山崎 寛子

About 山崎 寛子


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001272825
Publication number (International publication number)：2002158090
Application date： Sep. 10, 2001
Publication date： May. 31, 2002
Summary：
【要約】【課題】 上面出射方式の発光装置の作製方法及びそれに用いる薄膜形成装置を提供する。【解決手段】 第1搬送室103に複数の成膜室が設けられ、複数の成膜室には金属材料蒸着室107、EL層成膜室114、スパッタリング室108、CVD室109及び封止室110が含まれる。このような薄膜形成装置を用いることで、外気に触れることなく上面出射方式のEL素子を作製することができる。これにより信頼性の高い発光装置の作製が可能となる。
Claim (excerpt)：
第1の導電膜を真空蒸着法において第1のマスクを用いることにより第1のパターンに形成する第1の成膜室と、第2の導電膜を真空蒸着法において第2のマスクを用いることにより第2のパターンに形成する第2の成膜室と、有機膜を真空蒸着法において第3のマスクを用いることにより第3のパターンに形成する第3の成膜室と、透光性導電膜を形成する第4の成膜室とを有する薄膜形成装置であって、前記第1乃至前記第4の成膜室は、搬送室とそれぞれ連結され、前記搬送室は、基板を搬送する手段を有することを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (7)：
H05B 33/10 ,  C23C 14/04 ,  C23C 14/06 ,  G09F 9/00 342 ,  H05B 33/04 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/14
FI (7)：
H05B 33/10 ,  C23C 14/04 A ,  C23C 14/06 N ,  G09F 9/00 342 Z ,  H05B 33/04 ,  H05B 33/12 B ,  H05B 33/14 A
F-Term (35)：
3K007AB04 ,  3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007BB01 ,  3K007BB07 ,  3K007CB01 ,  3K007CB03 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EA01 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  4K029BA04 ,  4K029BA05 ,  4K029BA13 ,  4K029BA62 ,  4K029BB02 ,  4K029BC03 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K029HA01 ,  4K029HA02 ,  4K029KA01 ,  4K029KA09 ,  5G435AA04 ,  5G435AA14 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435CC09 ,  5G435HH12 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (12)
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