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J-GLOBAL ID:200903058167380283
パターン形成方法、それに用いられるレジスト組成物、ネガ型現像用現像液及びネガ型現像用リンス液
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (2):
高松 猛
, 矢澤 清純
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007227976
Publication number (International publication number):2008281980
Application date: Sep. 03, 2007
Publication date: Nov. 20, 2008
Summary:
【課題】IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される、高精度な微細パターンを安定的に形成する方法、該方法に用いられる樹脂組成物及び該方法に用いられる現像液を提供する。【解決手段】(ア)活性光線又は放射線の照射により、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、レジスト組成物を塗布する工程、(イ)露光工程、及び(エ)ネガ型現像液を用いて現像する工程を含むパターン形成方法、該方法に用いられるレジスト組成物及び該方法に用いられる現像液及びリンス液。【選択図】なし
Claim (excerpt):
(ア)下記一般式(I)で表される繰り返し単位を有し、酸の作用により極性が増大する樹脂を含有し、活性光線又は放射線の照射により、ネガ型現像液に対する溶解度が減少する、レジスト組成物を塗布する工程、
(イ)露光工程、および
(エ)ネガ型現像液を用いて現像する工程、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (5):
G03F 7/30
, G03F 7/32
, G03F 7/038
, G03F 7/039
, H01L 21/027
FI (6):
G03F7/30
, G03F7/32
, G03F7/32 501
, G03F7/038 601
, G03F7/039 601
, H01L21/30 502R
F-Term (22):
2H025AA02
, 2H025AB16
, 2H025AB17
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD01
, 2H025AD03
, 2H025AD07
, 2H025BE00
, 2H025BF02
, 2H025BG00
, 2H025CC03
, 2H025FA15
, 2H096AA25
, 2H096AA27
, 2H096BA06
, 2H096BA11
, 2H096BA20
, 2H096EA04
, 2H096GA03
, 2H096GA08
, 2H096GA18
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (7)
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パターン形成方法、電子デバイス製造方法、及び電子デバイス
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-381798
Applicant:株式会社ニコン
-
ポジ型フォトレジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-285762
Applicant:富士写真フイルム株式会社
-
ネガ型感放射線性樹脂組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-262027
Applicant:ジェイエスアール株式会社
-
レジスト現像液および現像方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-023449
Applicant:日本ゼオン株式会社
-
レジスト現像液及びパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-039100
Applicant:株式会社リコー
-
ネガ型フォトレジスト用現像液
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-357157
Applicant:徳山石油化学株式会社
-
パタ-ン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-001907
Applicant:株式会社東芝
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Cited by examiner (3)
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