低不純物炭化ケイ素ウェーハとそのハイパワーデバイスにおける使用

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：藤田アキラ
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004532493
Publication number (International publication number)：2005537657
Application date： Aug. 22, 2003
Publication date： Dec. 08, 2005
Summary：

本発明の第一の目的は、低不純物n型又はp型結晶から、高電圧パワーデバイスのベース層として使用できる質を有するSiCウェーハを作製するための方法である。この方法は、低い抵抗率のSiC基板における厚い低不純物層の従来のCVD成長より低いコストソリューションを可能にする。本発明の第二の目的は、非常に高い電圧を阻止することができる新規な半導体構造である。縦型パワーデバイスでは不要な付加的な抵抗を表す高不純物基板を使用する代わりに、本発明のデバイスはnドリフト領域として低不純物ウェーハを使用する。

Claim (excerpt)：

n型又はp型の伝導率を有する一様な炭化ケイ素単結晶であって、結晶が1015cm-3より低い正味のキャリア濃度と室温で少なくとも50nsのキャリア寿命を有することを特徴とする炭化ケイ素単結晶。

IPC (5)：

H01L29/78 , C30B29/36 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L29/161

FI (6)：

H01L29/78 652T , H01L29/78 655C , C30B29/36 A , H01L21/324 X , H01L29/163 , H01L29/78 658A

F-Term (12)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077AB02 , 4G077BE08 , 4G077DB07 , 4G077DB09 , 4G077EA02 , 4G077EB01 , 4G077FE05 , 4G077FE11 , 4G077TA01 , 4G077TA07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

US patent 5704985
US patent 60306612
US patent 6039812

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Cited by examiner (9)

シリコン・カーバイド・パワー・トランジスタの最大電圧を増大させるための構造
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平10-534944 Applicant：クーパー,ジェームズ・アルバート,ジュニアー, タン,ジャン
炭化珪素製造方法、炭化珪素及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-242171 Applicant：ホーヤ株式会社
炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-343664 Applicant：株式会社デンソー

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