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J-GLOBAL ID：200903059795050744

半導体レーザ素子

Inventor：
中塚 慎一

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後藤 順

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大家 彰

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河田 雅彦

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百瀬 正之

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Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995203058
Publication number (International publication number)：1997051140
Application date： Aug. 09, 1995
Publication date： Feb. 18, 1997
Summary：
【要約】【目的】 本発明は低しきい値で高温度特性の短波長半導体レ-ザを与えることを目的とする。【構成】 p型クラッド層106の組成を同一の禁制帯幅で仕事関数が真空レベルに近づくように変化する。光ガイド層から基板側の層は格子整合した層とし、超格子光ガイド、格子緩和層の導入などにより活性層への転位の増殖を防止する。すなわち、pクラッド層の一部に臨界量以上の歪を持った層を用いるものである。【効果】 本構造によれば、クラッド層の禁制帯幅増大と高濃度ド-ピングが同じに可能となり短波長レ-ザの低閾値動作が可能となる。
Claim (excerpt)：
n型半導体基板上に設けた第1の半導体層より成る活性層と、該活性層をはさむように設けた該活性層よりも小さな屈折率を有する第2及び第3のn型及びp型の導電型を有する半導体層より成るクラッド層を少なくとも有する半導体レ-ザ素子であって、該活性層と該クラッド層のうち活性層を挟んで基板と反対側に位置するp型クラッド層と活性層の間に、禁制帯幅及び屈折率が該クラッド層と略同等でありながら価電子帯と真空準位とのエネルギ-差が該p型クラッド層よりも小であるキャリア供給層を有し、該キャリア供給層のみがn型基板にたいし臨界量を越える格子定数のずれをもつことを特徴とする半導体レ-ザ素子。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (12)
  • 半導体レーザ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-020912   Applicant：日本電気株式会社
  • 半導体発光装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-259634   Applicant：株式会社東芝
  • 量子井戸構造体
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-120275   Applicant：シャープ株式会社
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