CVDエッチングおよび堆積シーケンスにより形成されるCMOSトランジスタ接合領域

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：龍華明裕
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007549723
Publication number (International publication number)：2008533695
Application date： Jan. 04, 2006
Publication date： Aug. 21, 2008
Summary：

この発明は、ソース-ドレインcMOSトランジスタの置換技術に関する。プロセスは、装置一式を利用して基板材料に窪みをエッチングして、その後、別のものに堆積することに関する。エッチングとその後の堆積とを、大気に曝すことなく、同じ反応器でなす方法が開示される。置換ソース-ドレインアプリケーション用のソース-ドレイン窪みのイン・サイチューエッチングは、現行のエックス・サイチューエッチングに対して幾らかの利点を提供する。トランジスタ駆動電流は、(1)asエッチングされた表面が大気に曝されると、シリコンエピ層界面の汚染が削減されること、(2)エッチング窪みの形状に対する正確制御、により向上する。堆積は、選択的/非選択的方法を含む、様々な技術によりなされてもよい。ブランケット堆積の場合、性能重要領域のアモルファス堆積を避ける基準も提示される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

一の第1接合領域を形成すべく一のゲート電極の隣の一の基板の一の第1箇所と、前記基板に一の第2接合領域を形成すべく前記ゲート電極の隣の前記基板の一の異なる第2箇所とを除去する工程と、前記第1接合領域と前記第2接合領域とに一の結晶質材料の一のエピタキシャル厚みを形成する工程とを含み、前記除去する工程と前記形成する工程は同一のチャンバ内で前記チャンバの一の封止を破ることなく起こる、方法。

IPC (3)：

H01L 29/78 , H01L 21/823 , H01L 27/092

FI (3)：

H01L29/78 301S , H01L27/08 321E , H01L27/08 321C

F-Term (52)：

5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA10 , 5F048BA14 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB11 , 5F048BC01 , 5F048BC05 , 5F048BC15 , 5F048BD01 , 5F048BE03 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F048DA28 , 5F048DA30 , 5F140AA01 , 5F140AB03 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BA13 , 5F140BA16 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BD17 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG31 , 5F140BG39 , 5F140BH06 , 5F140BH07 , 5F140BH14 , 5F140BH21 , 5F140BH27 , 5F140BK03 , 5F140BK09 , 5F140BK13 , 5F140BK18 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CE10 , 5F140CF03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (11)

上昇された構造のソース/ドレインを有する電界効果トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-307848 Applicant：三星電子株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-343975 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-084501 Applicant：株式会社東芝

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Cited by examiner (11)

トランジスタ及びこれの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-236925 Applicant：三星電子株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-034424 Applicant：シャープ株式会社
上昇された構造のソース/ドレインを有する電界効果トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-307848 Applicant：三星電子株式会社

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