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Pat
J-GLOBAL ID:200903062697333143

プラズマ発生アセンブリ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5): 曾我 道照 ,  曾我 道治 ,  古川 秀利 ,  鈴木 憲七 ,  梶並 順
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2005518665
Publication number (International publication number):2006515708
Application date: Jan. 28, 2004
Publication date: Jun. 01, 2006
Summary:
少なくとも一対の実質的に等間隔に離隔した電極(2)を備え、該電極(2)間の間隔はプロセスガスの導入時にプラズマゾーン(8)を形成するようになっており、必要に応じて、気体、液体及び/または固体前駆物質が通過できる大気圧プラズマアセンブリ(1)において、前記少なくとも一対の電極(2)は内壁(5)及び外壁(6)を有するハウジング(20)を備え、前記内壁(5)は非多孔性の誘電体材料から形成され、前記ハウジング(20)は実質的に、少なくとも実質的に非金属性導電性材料を有することを特徴とする。
Claim (excerpt):
少なくとも一対の実質的に等間隔に離隔した電極(2)を備え、該電極(2)間の間隔はプロセスガスの導入時にプラズマゾーン(8)を形成するようになっており、必要に応じて、気体、液体及び/または固体前駆物質が通過できる大気圧プラズマアセンブリ(1)において、 前記少なくとも一対の電極(2)は内壁(5)及び外壁(6)を有するハウジング(20)を備え、前記内壁(5、6)は非多孔性の誘電体材料から形成され、前記ハウジング(20)は実質的に、少なくとも実質的に非金属性導電性材料を有することを特徴とする、プラズマグロー放電及び/または誘電障壁放電発生アセンブリ。
IPC (6):
H05H 1/24 ,  C23C 16/507 ,  C23C 16/509 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/455 ,  B01J 19/08
FI (6):
H05H1/24 ,  C23C16/507 ,  C23C16/509 ,  C23C16/50 ,  C23C16/455 ,  B01J19/08 E
F-Term (29):
4G075AA22 ,  4G075AA27 ,  4G075AA30 ,  4G075BC01 ,  4G075BC06 ,  4G075CA03 ,  4G075CA16 ,  4G075CA47 ,  4G075CA57 ,  4G075DA02 ,  4G075EB27 ,  4G075EC21 ,  4G075EE02 ,  4G075FC15 ,  4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030BA44 ,  4K030BA61 ,  4K030EA01 ,  4K030EA04 ,  4K030EA06 ,  4K030FA01 ,  4K030FA03 ,  4K030FA04 ,  4K030JA09 ,  4K030KA15 ,  4K030KA16 ,  4K030KA46 ,  4K030KA47
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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