半導体装置および半導体装置の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：鹿嶋英實
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000281393
Publication number (International publication number)：2002093945
Application date： Sep. 18, 2000
Publication date： Mar. 29, 2002
Summary：

【要約】【課題】ウェハレベルCSP構造において、ウェハの反りを低減させて歩留まりを向上させることができる半導体装置およびその製造方法を実現する。【解決手段】絶縁膜4、封止膜7あるいは層間絶縁膜10を弾性率が20から200Kg/mm2の樹脂により形成することによって、従来問題となっていたウェハの反りを大幅に低減させて、製造上の歩留まりを向上させる。この低弾性率を実現する樹脂として液状ビスマレイミド樹脂を硬化させて形成した樹脂を用いる。これにより形成した樹脂は、低弾性率、且つ、高耐熱性および超疎水性の特性を有しているため、信頼性を大きく向上させることもできる。

Claim (excerpt)：

複数の接続パッドを備える半導体基板と、前記複数の接続パッドを除く、前記半導体基板上に設けられた絶縁膜と、前記複数の接続パッドに接続され、前記半導体基板上に設けられた複数の突起電極と、該複数の突起電極を除く前記半導体基板上面ほぼ全体に設けられた封止膜とを備えた半導体装置において、前記絶縁膜および封止膜のいずれか一方もしくは両方を、弾性率が20から200Kg/mm2の樹脂にて形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 23/12 501 , H01L 23/12 , H01L 23/29 , H01L 23/31

FI (3)：

H01L 23/12 501 P , H01L 23/12 501 C , H01L 23/30 R

F-Term (10)：

4M109AA02 , 4M109BA05 , 4M109CA05 , 4M109CA12 , 4M109EA07 , 4M109EB13 , 4M109EB14 , 4M109EC04 , 4M109ED03 , 4M109EE02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-364238 Applicant：三洋電機株式会社
特開平1-209746
特開平1-209746

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