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J-GLOBAL ID：200903065061850848

マイクロ波プラズマ装置

Inventor：
本郷 俊明

About 本郷 俊明

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大沢 哲

About 大沢 哲

, 
川上 聡

About 川上 聡

, 
湯浅 光博

About 湯浅 光博


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 藤元 亮輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999119002
Publication number (International publication number)：2000311798
Application date： Apr. 27, 1999
Publication date： Nov. 07, 2000
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、マイクロ波による高真空ポンプの動作制御不良を防止視して高真空ポンプによる均一な排気を実現するマイクロ波プラズマ処理装置を提供することを例示的な目的とする。【解決手段】 本発明のマイクロ波プラズマ装置は、処理室に固定されて、マイクロ波源から導入されるマイクロ波の高真空ポンプへの侵入を防止するマイクロ波阻止部材を有する。
Claim (excerpt)：
被処理体に所定のプラズマ処理を行う処理室と、前記処理室に接続されて当該処理室に前記所定のプラズマ処理に使用されるマイクロ波を供給するマイクロ波源と、前記処理室に設けられた高真空ポンプと、前記処理室に固定されて前記高真空ポンプへの前記マイクロ波の侵入を防止するマイクロ波阻止部材とを有するプラズマ装置。
IPC (6)：
H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31
FI (6)：
H05H 1/46 B ,  C23C 16/50 E ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B
F-Term (34)：
4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030EA11 ,  4K030FA01 ,  4K030KA45 ,  4K030KA49 ,  4K030LA15 ,  4K057DA02 ,  4K057DD01 ,  4K057DG02 ,  4K057DM13 ,  4K057DM29 ,  4K057DM36 ,  4K057DM39 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA06 ,  5F004BB14 ,  5F004BC08 ,  5F004BD01 ,  5F004BD03 ,  5F004BD04 ,  5F004CA05 ,  5F045AA09 ,  5F045AD11 ,  5F045BB20 ,  5F045DP03 ,  5F045EB08 ,  5F045EB09 ,  5F045EF05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (13)
  • 有磁場マイクロ波プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-071163   Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立エンジニアリングサービス
  • 真空処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-321336   Applicant：株式会社日立製作所
  • マグネトロン
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-082741   Applicant：三洋電機株式会社
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