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J-GLOBAL ID：200903069371516447

プラズマを閉じ込める処理室構成

Inventor：
チェン・ジアン・ジェイ.

About チェン・ジアン・ジェイ.

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レンズ・エリック・エイチ.

About レンズ・エリック・エイチ.

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スリニバサン・ムクンド

About スリニバサン・ムクンド


Applicant, Patent owner：
ラム リサーチ コーポレーション

About ラム リサーチ コーポレーション


Agent (1)： 特許業務法人明成国際特許事務所
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002531455
Publication number (International publication number)：2004515910
Application date： Sep. 25, 2001
Publication date： May. 27, 2004
Summary：
【課題】処理室内の処理領域の外における不必要なプラズマ形成を最小化するプラズマ閉じ込め機構を提供する。【解決手段】この機構は処理室の周辺近傍に位置する第1閉じ込め要素および第2閉じ込め要素を含む。第2閉じ込め要素は第1閉じ込め要素から距離を置かれている。第1閉じ込め要素は電気的に接地された露出された伝導性表面を含み、第2閉じ込め要素は露出された絶縁性表面を含み、電気的に接地された伝導性部分を覆うように構成される。第1閉じ込め要素および第2閉じ込め要素は、それらの間を通るプラズマ形成要素の効果を実質的に低減するように構成される。プラズマ閉じ込め要素はさらに絶縁材料から形成され、前記第1閉じ込め要素および前記第2閉じ込め要素の間に配置され、処理領域の周辺近傍にある第3閉じ込め要素を含んでもよい。第3閉じ込め要素は、第1閉じ込め要素および第2閉じ込め要素の間を通るプラズマ形成要素の効果をさらに低減する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
処理室内の処理領域の外の領域における不必要なプラズマ形成を最小にするプラズマ閉じ込め機構であって、 前記処理領域の周辺近傍に位置し、電気的に接地された露出された伝導性表面を含む第1閉じ込め要素と、 前記処理領域の周辺近傍に位置し、露出された絶縁性表面を含み、電気的に接地された伝導性部分を覆うように構成され、前記第1閉じ込め要素から距離を置かれている第2閉じ込め要素と、 を備え、 前記第1閉じ込め要素および前記第2閉じ込め要素は、それらの間を通るプラズマ形成要素の効果を実質的に低減するプラズマ閉じ込め機構。
IPC (5)：
H01L21/3065 ,  B01J19/08 ,  C23F4/00 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46
FI (5)：
H01L21/302 101B ,  B01J19/08 H ,  C23F4/00 A ,  H01L21/205 ,  H05H1/46 M
F-Term (35)：
4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075AA70 ,  4G075BC01 ,  4G075BC06 ,  4G075CA25 ,  4G075DA02 ,  4G075EB01 ,  4G075EB42 ,  4G075EC21 ,  4G075EE02 ,  4G075FB02 ,  4G075FB04 ,  4G075FB06 ,  4G075FB12 ,  4G075FC11 ,  4G075FC15 ,  4K057DA16 ,  4K057DD01 ,  4K057DM03 ,  4K057DM06 ,  4K057DM31 ,  4K057DN01 ,  4K057DN02 ,  5F004BA05 ,  5F004BA06 ,  5F004BB32 ,  5F004BD04 ,  5F004CA03 ,  5F045AA08 ,  5F045DP02 ,  5F045EC01 ,  5F045EF13 ,  5F045EH06 ,  5F045EH14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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