レジスト組成物

Inventor： , , , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：棚井澄雄 , 志賀正武 , 青山正和 , 鈴木三義 , 柳井則子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004017355
Publication number (International publication number)：2005208509
Application date： Jan. 26, 2004
Publication date： Aug. 04, 2005
Summary：

【課題】イマージョンリソグラフィ工程において使用される溶媒に対して安定であり、感度、レジストパターンプロファイル形状に優れる、レジスト組成物、及びこれらレジスト組成物を用いるレジストパターンの形成方法を提供すること。【解決手段】所定のパラメータに該当するレジスト組成物、または酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分(A)と、酸発生剤成分(B)と、有機溶剤(C)とを含み、前記(A)成分は、(a1)酸解離性溶解抑制基を有する(メタ)アクリル酸エステルから誘導される構成単位を有し、かつ(a0)(a0-1)ジカルボン酸の無水物含有構成単位又は(a0-2)フェノール性水酸基含有構成単位を有さないことを特徴とするポジ型レジスト組成物。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

浸漬露光する工程を含むレジストパターン形成方法に用いられるレジスト組成物であって、該レジスト組成物を用いて形成した塗膜を露光して又は未露光のまま水に浸漬し、次いで該浸漬状態で水晶振動子法により該塗膜の膜厚の変化を測定したとき、露光後塗膜と未露光後塗膜の両方において、それらの塗膜の測定開始から10秒間以内の最大の膜厚増加量が1.0nm以下であることを特徴とするレジスト組成物。

IPC (4)：

G03F7/26 , G03F7/039 , G03F7/20 , H01L21/027

FI (4)：

G03F7/26 501 , G03F7/039 601 , G03F7/20 521 , H01L21/30 502R

F-Term (17)：

2H025AA01 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025FA08 , 2H025FA17 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096EA27

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

投影露光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-341445 Applicant：株式会社ニコン
ラクトン構造を有する(メタ)アクリレート誘導体、重合体、フォトレジスト組成物、及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-188853 Applicant：日本電気株式会社
化学増幅型ポジ型レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-238542 Applicant：住友化学工業株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

Immersion Liquids for Lithography in the Deep Ultraviolet
Opitcal Microlithography XVI

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