Pat
J-GLOBAL ID：200903049321217782

遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物

Inventor：
佐藤 健一郎

About 佐藤 健一郎

, 
児玉 邦彦

About 児玉 邦彦

, 
青合 利明

About 青合 利明


Applicant, Patent owner：
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (1)： 萩野 平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999146775
Publication number (International publication number)：2000338674
Application date： May. 26, 1999
Publication date： Dec. 08, 2000
Summary：
【要約】【課題】 遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ-ション本来の性能向上技術の課題を解決されたポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、具体的には、孤立ラインパターンのデフォーカスラチチュードが広い、優れた遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。【解決手段】 活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、ならびに(ロ)脂環式炭化水素構造を含む基で保護された特定のアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位及び特定の繰り返し単位を含有し、酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂を含有する遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物が提供される。
Claim (excerpt)：
(イ)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、ならびに(ロ)下記一般式(pI)〜(pVI)で表される脂環式炭化水素構造を含む基のうち少なくとも1つで保護されたアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位及び下記一般式(II)で表される繰り返し単位を含み、酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂、を含有することを特徴とする遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。【化1】一般式(pI)〜(pVI)中;R11は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基又はsec-ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。R12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、もしくはR15、R16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。R17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R17〜R21のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R19、R21のいずれかは炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。R22〜R25は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R22〜R25のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。【化2】一般式(II)中;R1は、水素原子、ハロゲン原子又は1〜4個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。R2〜R4は、各々独立に、水素原子又は水酸基を表す。ただし、R2〜R4のうち少なくとも1つは、水酸基を表す。
IPC (3)：
G03F 7/039 601 ,  C08F 8/12 ,  C08L 33/06
FI (3)：
G03F 7/039 601 ,  C08F 8/12 ,  C08L 33/06
F-Term (118)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE08 ,  2H025CB06 ,  2H025CB13 ,  2H025CB14 ,  2H025CB15 ,  2H025CB41 ,  2H025CB43 ,  2H025CB45 ,  2H025CB52 ,  4J002BC111 ,  4J002BC121 ,  4J002BE041 ,  4J002BF011 ,  4J002BG011 ,  4J002BG041 ,  4J002BG051 ,  4J002BG071 ,  4J002BG101 ,  4J002BG111 ,  4J002BG131 ,  4J002BH021 ,  4J002CF271 ,  4J002CH051 ,  4J002EB116 ,  4J002EB146 ,  4J002ED076 ,  4J002EH146 ,  4J002ES006 ,  4J002EU186 ,  4J002EU216 ,  4J002EV216 ,  4J002EV296 ,  4J002EV306 ,  4J002EV316 ,  4J002FD200 ,  4J002FD310 ,  4J002GP03 ,  4J100AB07R ,  4J100AJ02R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AM17R ,  4J100BA02P ,  4J100BA02R ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA04P ,  4J100BA04Q ,  4J100BA05P ,  4J100BA05R ,  4J100BA06P ,  4J100BA06R ,  4J100BA08R ,  4J100BA11R ,  4J100BA12P ,  4J100BA12R ,  4J100BA14P ,  4J100BA14Q ,  4J100BA15P ,  4J100BA15R ,  4J100BA16P ,  4J100BA16Q ,  4J100BA20P ,  4J100BA20Q ,  4J100BA23P ,  4J100BA23Q ,  4J100BA34R ,  4J100BA37R ,  4J100BA38R ,  4J100BA40P ,  4J100BA40Q ,  4J100BA41P ,  4J100BA41Q ,  4J100BA55R ,  4J100BA58R ,  4J100BA59R ,  4J100BB01P ,  4J100BB01Q ,  4J100BB01R ,  4J100BB03P ,  4J100BB05P ,  4J100BB05Q ,  4J100BB07P ,  4J100BB07Q ,  4J100BC02P ,  4J100BC04P ,  4J100BC04R ,  4J100BC07P ,  4J100BC07R ,  4J100BC08P ,  4J100BC08R ,  4J100BC09P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC12P ,  4J100BC23R ,  4J100BC26R ,  4J100BC43R ,  4J100BC48R ,  4J100BC49R ,  4J100BC53R ,  4J100BC58R ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
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