半導体装置およびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004319335
Publication number (International publication number)：2006134935
Application date： Nov. 02, 2004
Publication date： May. 25, 2006
Summary：

【課題】耐圧特性の低下、ゲート電極におけるリーク電流の増加などのような不利益な結果をもたらすことなく接触抵抗を低減する。【解決手段】半導体装置は、AlxInyGa1-x-yN(0≦x<1,0≦y<1)からなる層を含むチャネル層1の上側にAlzGa1-zN(0≦z≦1)からなる第1種層を含む電子供給層2が形成され、チャネル層1と電子供給層2とがヘテロ接合されている窒化物半導体へテロ接合型電界効果トランジスタであって、電子供給層2の上側にゲート電極4、ソース電極3およびドレイン電極5が配置されており、電子供給層2は、ゲート電極4の下側の部分では不純物濃度が1E18cm-3以下のn型となっている。ソース電極3およびドレイン電極5の下側の部分では不純物濃度が1E18cm-3より多いn型となっている。【選択図】図14

Claim (excerpt)：

AlxInyGa1-x-yN(0≦x<1,0≦y<1)からなる層を含むチャネル層の上側にAlzGa1-zN(0≦z≦1)からなる第1種層を含む電子供給層が形成され、前記チャネル層と前記電子供給層とがヘテロ接合されている窒化物半導体へテロ接合型電界効果トランジスタであって、前記電子供給層の上側にゲート電極、ソース電極およびドレイン電極が配置されており、前記電子供給層は、前記ゲート電極の下側の部分では不純物濃度が1E18cm-3以下のn型となっていて、前記ソース電極および前記ドレイン電極の下側の部分では不純物濃度が1E18cm-3より多いn型となっている、半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338

FI (1)：

H01L29/80 H

F-Term (18)：

5F102FA01 , 5F102FA03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM09 , 5F102GQ01 , 5F102GR12 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC19 , 5F102HC21

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

コンタクト形成方法および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-170133 Applicant：松下電器産業株式会社

Cited by examiner (10)

半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-027054 Applicant：株式会社イオン工学研究所
窒化物半導体材料を用いたヘテロ接合電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-055304 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
ヘテロ接合型電界効果半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-279134 Applicant：富士通株式会社

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