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J-GLOBAL ID：200903072126543146

樹脂組成物およびそれを用いた配線回路基板

Inventor： 藤 正督 ,  高井 千加 ,  高橋 実 ,  武井 孝 ,  金村 聖志 ,  田辺 克幸 ,  星野 希宜 ,  三觜 幸平 ,  田上 直樹 ,  藤本 恭一 ,  五十嵐 一雅
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 名古屋工業大学 ,  公立大学法人首都大学東京 ,  日鉄鉱業株式会社 ,  日東電工株式会社
Agent (3)： 西藤 征彦 ,  井▲崎▼ 愛佳 ,  西藤 優子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005244233
Publication number (International publication number)：2007056158
Application date： Aug. 25, 2005
Publication date： Mar. 08, 2007
Summary：

【課題】緻密なシリカ殻のナノオーダーの粒子径を備え、かつ分散性に優れたシリカ中空粒子が均一に分散された樹脂組成物およびそれを用いた低誘電率化の図られた配線回路基板を提供する。【解決手段】シリカ殻からなるナノ中空粒子がマトリックス樹脂成分中に分散されてなる樹脂組成物である。しかも、上記シリカ殻からなるナノ中空粒子が、下記の特性(a)〜(c)を備えている。そして、上記樹脂組成物を用いて形成された絶縁層上に、回路パターン層が積層形成されてなる配線回路基板である。(a)透過型電子顕微鏡法による一次粒子径が30〜300nmの範囲である。(b)光散乱法による粒子径が30〜800nmの範囲である。(c)水銀圧入法により測定される細孔分布において2nm以上の細孔が検出されない。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

シリカ殻からなるナノ中空粒子がマトリックス樹脂成分中に分散されてなる樹脂組成物であって、上記シリカ殻からなるナノ中空粒子が、下記の特性(a)〜(c)を備えていることを特徴とする樹脂組成物。 (a)透過型電子顕微鏡法による一次粒子径が30〜300nmの範囲である。 (b)光散乱法による粒子径が30〜800nmの範囲である。 (c)水銀圧入法により測定される細孔分布において2nm以上の細孔が検出されない。

IPC (5)：

C08L 101/00 ,  C08K 7/26 ,  H01B 3/00 ,  C08L 63/00 ,  H05K 1/03

FI (6)：

C08L101/00 ,  C08K7/26 ,  H01B3/00 A ,  C08L63/00 ,  H05K1/03 610L ,  H05K1/03 610R

F-Term (21)：

4J002CD011 ,  4J002CD051 ,  4J002CD061 ,  4J002CD131 ,  4J002CF001 ,  4J002CH001 ,  4J002CH091 ,  4J002CL001 ,  4J002CM041 ,  4J002DJ016 ,  4J002FA096 ,  4J002GQ01 ,  4J002GQ05 ,  5G303AA05 ,  5G303AB05 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CA09 ,  5G303CB30 ,  5G303CD01 ,  5G303DA02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 多孔質体およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-256233   Applicant：松下電器産業株式会社
• 低誘電率フレキシブル配線基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-224470   Applicant：新興化学工業株式会社, 日東電工株式会社
• 特許第3419787号公報
  

Cited by examiner (6)

• シリカ系微粒子、該微粒子分散液の製造方法、および被膜付基材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-048277   Applicant：触媒化成工業株式会社
• シリカ系微粒子の製造方法および該シリカ系微粒子を含む被膜付基材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-375660   Applicant：触媒化成工業株式会社
• 絶縁材料及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-185416   Applicant：住友ベークライト株式会社
• 低誘電正接絶縁材料を用いた高周波用電子部品
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-244520   Applicant：株式会社日立製作所
• 低誘電率組成物及びその成形体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-017477   Applicant：セイミケミカル株式会社
• 中空シリカ粒子の製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平9-537790   Applicant：ロディアシミ

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 炭酸カルシウム微粒子をテンプレートとしたシリカナノ中空体の構造評価