窒化ケイ素複合基板

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本正緒
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998306497
Publication number (International publication number)：2000128654
Application date： Oct. 28, 1998
Publication date： May. 09, 2000
Summary：

【要約】【課題】セラミック基板としてSi3N4基板を用い、機械的衝撃や熱的衝撃によっても板に亀裂が発生せず、放熱特性並びに耐熱サイクル特性に優れたSi3N4複合基板を提供する。【解決手段】熱伝導率が90W/m・K以上、3点曲げ強度が700MPa以上のSi3N4基板を用い、その片方の主面上に接合された金属層tmと、Si3N4基板の厚さtcの関係を2tm≦tc≦20tmを満たすように設定する。また、Si3N4基板の両方の主面上に金属層を接合する場合には、両主面上の金属層の合計厚さttmとの間で、ttm≦tc≦10ttmの関係を満たすように設定する。

Claim (excerpt)：

熱伝導率が90W/m・K以上、3点曲げ強度が700MPa以上である窒化ケイ素セラミック基板と、その片方の主面上に接合された金属層とを備え、窒化ケイ素セラミック基板の厚さをtc、金属層の厚さをtmとしたとき、tcとtmが関係式2tm≦tc≦20tmを満たすことを特徴とする窒化ケイ素複合基板。

IPC (3)：

C04B 37/02 , H05K 1/02 , H05K 1/03 610

FI (3)：

C04B 37/02 , H05K 1/02 A , H05K 1/03 610 D

F-Term (13)：

4G026BA17 , 4G026BB23 , 4G026BB27 , 4G026BC01 , 4G026BD14 , 4G026BF11 , 4G026BH07 , 5E338AA01 , 5E338AA02 , 5E338AA18 , 5E338CC01 , 5E338CD11 , 5E338EE02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

回路基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-050476 Applicant：電気化学工業株式会社
高熱伝導性窒化珪素回路基板および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-067689 Applicant：株式会社東芝
窒化けい素回路基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-245105 Applicant：株式会社東芝

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