半導体素子のキャパシタ製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三枝英二 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000341575
Publication number (International publication number)：2001144272
Application date： Nov. 09, 2000
Publication date： May. 25, 2001
Summary：

【要約】【課題】 Ta2O5キャパシタにおいてTa2O5誘電体膜とTiN上部電極間の界面反応による誘電体特性劣化を防ぐために、上部電極としてTaNを用いてTa2O5キャパシタの誘電体特性劣化を防止することは勿論のこと、TaNの高い仕事関数によるTa2O5キャパシタの漏れ電流特性を改善することのできる半導体素子のキャパシタ製造方法を提供すること。【解決手段】本発明に係る半導体素子のキャパシタ製造方法は、半導体素子を形成するためのいろいろな要素が形成された基板上に下部電極を形成する段階と、前記下部電極上にTa2O5誘電体膜を形成する段階と、前記Ta2O5誘電体膜上にTaN膜からなる上部電極を形成する段階とを含んでなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体素子を形成するためのいろいろな要素が形成された基板上に下部電極を形成する段階と、前記下部電極上にTa2O5誘電体膜を形成する段階と、前記Ta2O5誘電体膜上にTaN膜からなる上部電極を形成する段階とを含んでなることを特徴とする半導体素子のキャパシタ製造方法。

IPC (4)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (3)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 621 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (17)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-332239 Applicant：三菱電機株式会社
誘電体キャパシタと誘電体メモリ装置、及びこれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-071477 Applicant：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
電子素子およびその製造方法ならびに誘電体キャパシタおよびその製造方法ならびに光学素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-031012 Applicant：ソニー株式会社

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