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J-GLOBAL ID：200903081662139713
半導体センサ及び半導体センサの製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
西 和哉
, 志賀 正武
, 大浪 一徳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008012925
Publication number (International publication number)：2009174960
Application date： Jan. 23, 2008
Publication date： Aug. 06, 2009
Summary：
【課題】安価且つ高感度の半導体センサ及び当該半導体センサの製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に積層された複数の圧電薄膜と、前記複数の圧電薄膜の内、少なくとも上下1対の圧電薄膜の界面に形成された表面弾性波励起用の1対の電極と、最下層の圧電薄膜と当該最下層の圧電薄膜の直下の薄膜との界面に形成されると共に、最上層の圧電薄膜の表面における凸凹部の生成を促進させる金属薄膜と、前記最上層の圧電薄膜上において少なくとも前記凸凹部上に形成された分子吸着用の感応膜と、を備える。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
半導体基板上に積層された複数の圧電薄膜と、
前記複数の圧電薄膜の内、少なくとも上下1対の圧電薄膜の界面に形成された表面弾性波励起用の1対の電極と、
最下層の圧電薄膜と当該最下層の圧電薄膜の直下の薄膜との界面に形成されると共に、最上層の圧電薄膜の表面における凸凹部の生成を促進させる金属薄膜と、
前記最上層の圧電薄膜上において少なくとも前記凸凹部上に形成された分子吸着用の感応膜と、
を備えることを特徴とする半導体センサ。
IPC (1)：
FI (1)：
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (6)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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