表面発光型半導体レーザ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中島淳 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998168083
Publication number (International publication number)：1999121867
Application date： Jun. 16, 1998
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】横モードが安定しており、しかも、しきい値電流が低く、高出力である表面発光型半導体レーザを提供する。【解決手段】活性層を挟んで上下のスペーサ層が形成され、上下のスペーサーの上に上下の反射膜が形成される表面発光型半導体レーザにおいて、上下のスペーサ層と上下の反射膜との間の一方または双方に、上下のスペーサ層の材料と上下の反射膜の材料とのいずれとも格子定数が近く、上下のスペーサ層の材料と上下の反射膜の材料の各々が実効的に有する屈折率よりも僅かに小さい屈折率を有する材料からなり、厚さが100nm以下の半導体層よりなる光閉じ込め層が、光放出領域を除いて形成されている表面発光型半導体レーザである。

Claim (excerpt)：

活性層を挟んで上下のスペーサ層が形成され、該上下のスペーサー層を挟んで上下の反射膜が形成されてなる表面発光型半導体レーザにおいて、前記上下のスペーサ層と前記上下の反射膜との間の一方または双方に、前記上下のスペーサ層の材料と前記上下の反射膜の材料とのいずれとも格子定数が近く、前記上下のスペーサ層の材料と前記上下の反射膜の材料の各々が実効的に有する屈折率よりも僅かに小さい屈折率を有する材料からなり、厚さが100nm以下の半導体層よりなる光閉じ込め層が、光放出領域を除いて形成されてなることを特徴とする表面発光型半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (16)

電流アパーチャを備えた垂直キャビティレーザー
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平9-504471 Applicant：オプティカルコンセプツ,インコーポレイティド
面発光半導体レーザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-215233 Applicant：富士通株式会社
面発光半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-211554 Applicant：技術研究組合新情報処理開発機構, 富士通株式会社

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