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J-GLOBAL ID:200903083732711528
IC実装用基板及びその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
西川 惠清 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001125908
Publication number (International publication number):2002324819
Application date: Apr. 24, 2001
Publication date: Nov. 08, 2002
Summary:
【要約】【課題】 IC側にバンプが無くともICの実装を簡便に且つ高い信頼性のもとに行うことができるものとする。【解決手段】 基材10の表面に設けた突部11表面を回路パターンとなる導電性金属層12で覆ってIC実装用端子部としてのバンプ2を形成したものにおいて、上記バンプ2表面を表面粗さRa0.1μm〜3μmの微小凹凸20が連続する面とする。微小凹凸20の存在により接続抵抗値を大きく低下させることができる。
Claim (excerpt):
基材の表面に設けた突部表面を回路パターンとなる導電性金属層で覆ってIC実装用端子部としてのバンプを形成したIC実装用基板において、上記バンプ表面を表面粗さRa0.1μm〜3μmの微小凹凸が連続する面としていることを特徴とするIC実装用基板。
F-Term (5):
5F044KK01
, 5F044KK17
, 5F044KK18
, 5F044KK19
, 5F044LL13
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (13)
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-332802
Applicant:松下電工株式会社
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特開昭63-220533
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半導体実装用基板と半導体装置および半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-069041
Applicant:株式会社東芝
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ポリマースタッドグリッドアレイのための基板の製造のための方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-016139
Applicant:シーメンスエヌフェー, インターウニファージテールミクロ-エレクトロニカセントルムフェーゼットウェー
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合成樹脂製回路基板における導体パターンの形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-252528
Applicant:ローム株式会社
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ポリマーアンダーフィルの拡張を制御した半導体デバイス組立体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-354975
Applicant:モトローラ・インコーポレイテッド
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回路装置、その製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-159777
Applicant:日本電気株式会社
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印刷配線板の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-252890
Applicant:株式会社東芝
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特開昭63-228634
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特開平3-060036
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バンプ付きリードを有する配線基板の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-387024
Applicant:株式会社双晶テック, 山一電機株式会社
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半導体チップ実装基板およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-387875
Applicant:松下電工株式会社
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IC実装用基板とその製造方法及びIC実装用基板へのIC実装方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-360221
Applicant:松下電工株式会社
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