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J-GLOBAL ID：200903083903033795

表面発光型半導体レーザおよびその製造方法

Inventor：
植木 伸明

About 植木 伸明


Applicant, Patent owner：
富士ゼロックス株式会社

About 富士ゼロックス株式会社


Agent (2)： 片寄 恭三 ,  片山 修平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002180604
Publication number (International publication number)：2004023087
Application date： Jun. 20, 2002
Publication date： Jan. 22, 2004
Summary：
【課題】基本横モード発振でありながら光出力を改善した面発光レーザを提供する。【解決手段】表面発光型半導体レーザ100は、半導体基板1と、基板1上に形成されたn型の下部多層膜反射鏡2と、活性領域3と、電流狭窄部4と、p型の上部多層膜反射鏡5と、コンタクト層6と、第1金属コンタクト層7とを有し、メサ構造101のレーザ素子部は、コンタクト層6、上部多層膜反射鏡5、電流狭窄部4及び第1金属コンタクト層7を含み、メサ構造101は第1コンタクト層7に整合された側面を有する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
メサ構造のレーザ素子部を備えた表面発光型半導体レーザであって、前記表面発光型半導体レーザは、 基板と、該基板上に形成された第1導電型の下部半導体多層ミラーと、第2導電型の上部半導体多層ミラーと、前記下部半導体多層ミラーと前記上部半導体多層ミラーとの間に配された活性領域と、前記下部半導体多層ミラーと前記上部半導体ミラーとの間に配された電流狭窄部と、前記上部半導体多層ミラー上に形成された金属部とを有し、 前記メサ構造は、少なくとも前記上部半導体多層ミラー、前記電流狭窄部及び前記金属部を含み、前記メサ構造は前記金属部に整合された側面を有する、表面発光型半導体レーザ。
IPC (1)：
H01S5/183
FI (1)：
H01S5/183
F-Term (8)：
5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073BA09 ,  5F073CA05 ,  5F073CB02 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA21
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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