面発光型半導体レーザ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中島淳 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999142370
Publication number (International publication number)：2000332355
Application date： May. 21, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】製造が容易で、高輝度基本横モード光出力を有する面発光型半導体レーザを提供する。【解決手段】半導体基板51と、該半導体基板51上に順次積層された下部多層膜反射鏡53、活性層領域54、及び上部多層膜反射鏡55と、該上部多層膜反射鏡55の上層であってレーザ光の出射中心の周辺部に開口部61を取り囲むように設けられた金属材料からなる上部電極60と、非酸化領域58として形成された電流狭窄部と、を備えた面発光型半導体レーザにおいて、前記上部電極60が設けられた出射中心の周辺部の多層膜反射鏡55の反射率が、出射中心の多層膜反射鏡55の反射率よりも低くなるようにし、該反射率の低下の程度に応じ、前記開口部61の径を非酸化領域58の径より大きくする。

Claim (excerpt)：

上部に、下部多層膜反射鏡、活性層領域、及び上部多層膜反射鏡が順次積層され、下部に、下部電極が設けらた半導体基板と、該上部多層膜反射鏡の上層であって前記活性層領域で発生したレーザ光の出射中心の周辺部に出射口部を取り囲むように設けられ、前記下部電極と対をなし前記活性層領域に電流注入するための金属材料からなる上部電極と、前記上部電極と前記下部電極との間に設けられ、電流流路の周縁部を絶縁化して形成された電流狭窄部と、を備え、その上部に前記上部電極が設けられた出射中心の周辺部の多層膜反射鏡の反射率が、出射中心の多層膜反射鏡の反射率よりも低くなるようにし、該反射率の低下の程度に応じ、前記出射口部の径を前記電流狭窄部の径より大きくする度合いを大きくしたことを特徴とする面発光型半導体レーザ。

F-Term (16)：

5F073AA74 , 5F073AB17 , 5F073CA02 , 5F073CA04 , 5F073CA05 , 5F073CA06 , 5F073CA07 , 5F073CA12 , 5F073CA14 , 5F073CA22 , 5F073DA05 , 5F073DA14 , 5F073DA16 , 5F073DA27 , 5F073EA23 , 5F073EA24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (17)

面発光レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-294593 Applicant：シャープ株式会社
面発光半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-037919 Applicant：技術研究組合新情報処理開発機構, 富士通株式会社
面発光レーザの製造方法及び該方法により製造された面発光レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-182511 Applicant：日本電気株式会社

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