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J-GLOBAL ID：200903087285562094

半導体レーザ

Inventor：
ミハエル アー クナイスル

About ミハエル アー クナイスル


Applicant, Patent owner：
パロ・アルト・リサーチ・センター・インコーポレーテッド

About パロ・アルト・リサーチ・センター・インコーポレーテッド


Agent (2)： 吉田 研二 ,  石田 純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005360412
Publication number (International publication number)：2006173621
Application date： Dec. 14, 2005
Publication date： Jun. 29, 2006
Summary：
【課題】光学モードを閉じ込める方法、又は材料を改善したレーザダイオードを提供する。【解決手段】新規な窒化インジウムガリウムレーザダイオードを記載する。レーザは、導波路層(132、140)、及び/又はクラッド層(128、136)において、インジウムを用いる。InGaN導波路層、又はクラッド層は、非常に小さい損失で光閉じ込めを促進することがわかった。さらに、InGaN導波路層、又はクラッド層の利用は、導波路層と活性領域116との間の格子不整合を減少させるため、活性領域のエピ層の構造整合性を高めることもできる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
半導体レーザであって、 インジウム、ガリウム、及び窒化物を含有する少なくとも1個の量子井戸を有する活性領域であって、第一面及び第二面を有する前記活性領域と、 前記第一面に隣接する第一導波路層であって、インジウム、ガリウム、及び窒化物を有する前記第一導波路層と、 を備えることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (1)：
H01S 5/323
FI (1)：
H01S5/323 610
F-Term (17)：
5F173AA08 ,  5F173AF03 ,  5F173AF15 ,  5F173AF35 ,  5F173AF52 ,  5F173AF53 ,  5F173AF55 ,  5F173AG12 ,  5F173AG17 ,  5F173AH22 ,  5F173AH49 ,  5F173AJ04 ,  5F173AK22 ,  5F173AP64 ,  5F173AR25 ,  5F173AR26 ,  5F173AR81
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 米国特許出願公開第2004/0184496号明細書
  • 米国特許出願公開第2004/0184497号明細書
Cited by examiner (9)
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