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J-GLOBAL ID:200903089489374400
プラズマ発生装置およびプラズマ発生方法ならびにリモートプラズマ処理装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
高山 宏志
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004018012
Publication number (International publication number):2004266268
Application date: Jan. 27, 2004
Publication date: Sep. 24, 2004
Summary:
【課題】 プラズマ励起効率の高い小型のプラズマ発生装置を提供する。【解決手段】 プラズマ発生装置100は、マイクロ波を発生するマイクロ波発生装置10と、内管20aと外管20bからなる同軸構造を有し、前記内管20aの一端にモノポールアンテナ21が取り付けられ、マイクロ波発生装置10で発生させたマイクロ波をモノポールアンテナ21へ導く同軸導波管20と、誘電体材料からなり、モノポールアンテナ21を保持する共振器22と、所定の処理ガスが供給されるプラズマ励起用のチャンバ23とを具備する。チャンバ23は開口面を有し、この開口面に共振器22が配置され、モノポールアンテナ21から共振器22を通してチャンバ23の内部に放射されるマイクロ波によって処理ガスを励起し、プラズマを発生させる。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
所定波長のマイクロ波を発生するマイクロ波発生装置と、
内管と外管からなる同軸構造を有し、前記内管の一端にアンテナが取り付けられ、前記マイクロ波発生装置で発生させたマイクロ波を前記アンテナへ導く同軸導波管と、
誘電体材料からなり、前記アンテナを保持する共振器と、
所定の処理ガスが供給されるプラズマ励起用のチャンバと、
を具備し、
前記チャンバは開口面を有し、前記開口面に前記共振器が配置され、
前記アンテナから前記共振器を通して前記チャンバの内部に放射されるマイクロ波によって前記処理ガスが励起されることを特徴とするプラズマ発生装置。
IPC (3):
H01L21/3065
, H01L21/205
, H05H1/46
FI (3):
H01L21/302 101D
, H01L21/205
, H05H1/46 B
F-Term (12):
3B116AA02
, 3B116AA03
, 3B116AB23
, 3B116BC01
, 5F004BA03
, 5F004BA16
, 5F004BA20
, 5F004BB14
, 5F004BB32
, 5F045AA08
, 5F045EH02
, 5F045EH03
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
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液冷式リモートプラズマアプリケータ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-016833
Applicant:アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
Cited by examiner (19)
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プラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-113186
Applicant:株式会社日立製作所
-
プラズマ発生装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-065072
Applicant:株式会社東芝
-
半導体基板用プラズマ表面処理装置におけるラジアルラインスロットアンテナの構造
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-089281
Applicant:ローム株式会社
-
マイクロ波プラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-120074
Applicant:日電アネルバ株式会社
-
プラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-208381
Applicant:株式会社東芝
-
表面処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-369355
Applicant:アネルバ株式会社
-
プラズマを発生させるための装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-148356
Applicant:ライボルトシステムズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
-
特開平2-037698
-
特開平2-238626
-
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-181745
Applicant:東京エレクトロン株式会社, 八坂保能, 安藤真, 後藤尚久
-
プラズマ発生装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-017226
Applicant:三菱電機株式会社, 三菱電機エンジニアリング株式会社
-
HDP-CVDチャンバ用のプラズマソース
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-028509
Applicant:アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
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特開昭63-069980
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特開平2-091935
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特許第2687966号
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プラズマ強化化学処理反応装置とその方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-180459
Applicant:ワトキンズ-ジョンソンカンパニー
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イオン注入のためのイオン源装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-267672
Applicant:イートンコーポレーション
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特許第6205769号
-
マイクロ波プラズマ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-119002
Applicant:東京エレクトロン株式会社
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