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J-GLOBAL ID：200903090482838264

半導体レーザ素子

Inventor：
福永 敏明

About 福永 敏明

, 
大郷 毅

About 大郷 毅


Applicant, Patent owner：
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (1)： 柳田 征史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001249111
Publication number (International publication number)：2002374042
Application date： Aug. 20, 2001
Publication date： Dec. 26, 2002
Summary：
【要約】【課題】 圧縮歪の活性層を有する半導体レーザ素子において、活性領域の歪を補償してしきい値電流の温度依存性を改善し、さらに高出力まで高い信頼性を得る。【解決手段】 圧縮歪Inx3Ga1-x3As1-y3Py3量子井戸活性層5と上下に隣接して積層されているnあるいはi-In0.49Ga0.51P光導波層3およびpあるいはi-In0.49Ga0.51P光導波層7との間に、それぞれInx2Ga1-x2As1-y2Py2引張り歪障壁層4およびInx2Ga1-x2As1-y2Py2引張り歪障壁層6を設ける。活性層5の圧縮歪量と該活性層の膜厚の積と、引張り歪障壁層の引張り歪量と該障壁層の合計膜厚の積との和の絶対値が0.25nm以下であることが望ましい。
Claim (excerpt)：
圧縮歪を有するIn<SB>x3</SB>Ga<SB>1-x3</SB>As<SB>1-y3</SB>P<SB>y3</SB>(ただし、0<x3≦0.4、0≦y3≦0.1)活性層の上下層にそれぞれGaAsに格子整合するIn<SB>0.</SB><SB>49</SB>Ga<SB>0.51</SB>P光導波層を有する半導体レーザ素子において、前記活性層と前記光導波層の間にIn<SB>x2</SB>Ga<SB>1-x2</SB>As<SB>1-y2</SB>P<SB>y2</SB>引張り歪障壁層(0≦x2<0.49y2、0<y2≦0.4)が設けられていることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2)：
H01S 5/343 ,  H01L 21/205
FI (2)：
H01S 5/343 ,  H01L 21/205
F-Term (25)：
5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB32 ,  5F045AF04 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA55 ,  5F045DA63 ,  5F045DA64 ,  5F045DA69 ,  5F045HA14 ,  5F073AA07 ,  5F073AA20 ,  5F073AA53 ,  5F073AA73 ,  5F073AA83 ,  5F073CA13 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073DA32
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (13)
  • 半導体レーザおよびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-139623   Applicant：富士写真フイルム株式会社
  • 半導体レーザ装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-236141   Applicant：株式会社日立製作所
  • 半導体レーザ及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-225546   Applicant：沖電気工業株式会社
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