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J-GLOBAL ID：200903053461898868

発光装置

Inventor： 永井 陽一 ,  木山 誠 ,  中村 孝夫 ,  櫻田 隆 ,  秋田 勝史 ,  上松 康二 ,  池田 亜矢子 ,  片山 浩二 ,  吉本 晋
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005164358
Publication number (International publication number)：2005260276
Application date： Jun. 03, 2005
Publication date： Sep. 22, 2005
Summary：

【課題】 製造が容易で、放熱特性を高め、大きな発光効率を長時間にわたって安定して得ることができ、小型化が容易にできる発光装置を提供する。【解決手段】 熱伝導率が100W/(m・K)以上のAlN基板1と、n型AlxGa1-xN層及びp型AlxGa1-xN層の間に位置する発光層とを備え、AlN基板の主表面に接してn電極11を、p型AlxGa1-xN層に接してp電極12を有し、n電極及びp電極のいずれか一方を光を放出するトップ側に、また他方をダウン側に実装し、トップ側に位置する電極が1つで構成される。【選択図】 図25

Claim (excerpt)：

熱伝導率が100W/(m・K)以上の窒化物半導体AlN基板と、前記AlN基板の第1の主表面の側に、n型窒化物半導体層のn型AlxGa1-xN層(0≦x≦1)と、前記AlN基板から見て前記n型AlxGa1-xN層より遠くに位置するp型AlxGa1-xN層(0≦x≦1)と、前記n型AlxGa1-xN層及びp型AlxGa1-xN層の間に位置する発光層とを備え、 前記AlN基板の前記第1の主表面と反対側の主表面である第2の主表面に接してn電極を、また前記p型AlxGa1-xN層に接してp電極を有し、 前記n電極及びp電極のいずれか一方を光を放出するトップ側に、また他方をダウン側に実装し、そのトップ側に位置する電極が1つで構成される、発光装置。

IPC (1)：

H01L33/00

FI (3)：

H01L33/00 C ,  H01L33/00 J ,  H01L33/00 N

F-Term (15)：

5F041AA03 ,  5F041AA33 ,  5F041AA43 ,  5F041AA47 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA16 ,  5F041DA25 ,  5F041DA44 ,  5F041DA57 ,  5F041EE25 ,  5F041FF11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• LEDランプ及びそれを用いた表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-333332   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 多数チップ半導体LEDアセンブリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-139659   Applicant：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー
• 発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-224608   Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社光波
• チップ型発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-204685   Applicant：ローム株式会社
• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-021798   Applicant：松下電子工業株式会社

Cited by examiner (13)

• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-108117   Applicant：昭和電工株式会社
• 半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-355696   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭50-150391
  
• 発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-192839   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-009718   Applicant：松下電器産業株式会社
• 窒化物半導体の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-052993   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 光半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-306349   Applicant：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社
• 白色LED
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-212381   Applicant：住友電気工業株式会社
• 特開昭54-055390
  
• 窒化ガリウム系化合物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-257306   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子及び半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-278983   Applicant：シャープ株式会社
• 発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-226698   Applicant：松下電工株式会社
• 発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-142940   Applicant：日亜化学工業株式会社