イオン注入アニール方法、半導体素子の製造方法、及び半導体素子

Inventor：
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：梶良之 , 須原誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005162160
Publication number (International publication number)：2006339396
Application date： Jun. 02, 2005
Publication date： Dec. 14, 2006
Summary：

【課題】単結晶炭化ケイ素(SiC)に対するイオン注入アニール方法において、イオンドープの電気的活性度が良好であると同時にアニール処理による表面粗れを低減でき、且つスループットが良好な方法を提供する。【解決手段】表面にドーパントをイオン注入した前記単結晶SiC基板5のイオン注入面に対し、他の単結晶SiC基板5のイオン注入面を近接又は密接させて配置するか(選択図(a))、多結晶SiC基板19を近接又は密接させて配置し(選択図(b))、1,600°C〜2,100°C(好ましくは1,700°C〜1,900°C)の高温に短時間で加熱して熱処理する。単結晶SiC基板5同士の距離、又は単結晶SiC基板5と多結晶SiC基板19との距離(隙間gの大きさ)は、ゼロ(密接)又は0.6mm以下とするのが好ましく、0.1mm以上0.3mm以下が更に好ましい。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

単結晶炭化ケイ素基板の表面に不純物の原子をイオン注入して高温アニールにより活性化するイオン注入アニール方法であって、それぞれの表面に前記原子をイオン注入した少なくとも一対の前記単結晶炭化ケイ素基板を、そのイオン注入面同士を対向させるように密接又は近接させて密閉容器内に配置して熱処理する工程を含むことを特徴とする、イオン注入アニール方法。

IPC (1)：

H01L 21/265

FI (2)：

H01L21/265 602A , H01L21/265 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

SiC半導体のイオン注入層及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-060380 Applicant：株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 住友電気工業株式会社, 三菱商事株式会社
炭化珪素半導体へのイオン注入方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-240021 Applicant：日本原子力研究所
炭化ケイ素半導体へのドナー不純物をドープする方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-280573 Applicant：日本原子力研究所

Cited by examiner (12)

特開昭63-271923
熱処理装置及びそれを用いた熱処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-333266 Applicant：学校法人関西学院
特開昭56-158433

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