熱処理装置及びそれを用いた熱処理方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：梶良之 , 須原誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003333266
Publication number (International publication number)：2004297034
Application date： Sep. 25, 2003
Publication date： Oct. 21, 2004
Summary：

【課題】次世代の単結晶SiCの形成に好適な、圧力10-2Pa以下又は予め圧力10-2Pa以下に到達した後に不活性ガスを導入した希薄ガス雰囲気下であっても短時間で1200°C〜2,300°Cに加熱することができる熱処理装置及びそれを用いて熱処理方法を提供する。【解決手段】被処理物を圧力10-2Pa以下、又は予め圧力10-2Pa以下に到達した後に不活性ガスを導入した希薄ガス雰囲気下において短時間で1200°C〜2,300°Cに加熱する加熱室2と、前記加熱室2に連結され、前記加熱室2に被処理物5を移動するための移動手段10が設けられている前室4と、前記前室4に連結され、前記被処理物5を10-2Pa以下の圧力下において予め800°C以上に加熱する予備加熱室3と、を備えてなる熱処理装置とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

被処理物を圧力10-2Pa以下、好ましくは10-5Pa以下の真空、又は予め圧力10-2Pa以下に好ましくは10-5Pa以下の真空に到達した後に不活性ガスを導入した希薄ガス雰囲気下において短時間で1200°C〜2,300°Cに加熱する加熱室と、前記加熱室に連結され、前記加熱室に被処理物を移動するための移動手段が設けられている前室と、前記前室に連結され、前記被処理物を10-2Pa以下好ましくは10-5Pa以下の真空において予め800°C以上に加熱する予備加熱室と、を備えてなる熱処理装置。

IPC (2)：

H01L21/324 , H01L21/208

FI (2)：

H01L21/324 Z , H01L21/208 Z

F-Term (7)：

5F053AA50 , 5F053BB58 , 5F053DD02 , 5F053FF04 , 5F053FF05 , 5F053GG01 , 5F053HH04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (19)

高速熱処理方法および処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-128345 Applicant：三星電子株式会社
真空熱処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-074978 Applicant：日本真空技術株式会社
炭化珪素単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-338390 Applicant：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所

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Cited by examiner (2)

真空熱処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-074978 Applicant：日本真空技術株式会社
特開平4-062389

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