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J-GLOBAL ID:200903097952717862

電子放出素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4): 長谷川 芳樹 ,  塩田 辰也 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002276423
Publication number (International publication number):2004119019
Application date: Sep. 20, 2002
Publication date: Apr. 15, 2004
Summary:
【課題】ホウ素がドープされたダイヤモンドを含んで成る電子放出素子であって電子放出効率の優れたものを提供する。【解決手段】ホウ素がドープされたダイヤモンドを含んで成る電子放出素子であって、柱状の基体部12と、基体部12の上に位置すると共に先端が尖った先鋭部13とを備える突起14を含んで構成され、基体部12の中心軸と側面との最短距離r[cm]と、ダイヤモンドにおけるホウ素濃度Nb[cm-3]とが下記式(1);【数1】で表される関係式を満たす【選択図】 図1
Claim (excerpt):
ホウ素がドープされたダイヤモンドを含んで成る電子放出素子であって、 柱状の基体部と、前記基体部の上に位置すると共に先端が尖った先鋭部とを備える突起を含んで構成され、 前記基体部の中心軸と側面との最短距離r[cm]と、前記ダイヤモンドにおけるホウ素濃度Nb[cm-3]とが下記式(1);
IPC (1):
H01J1/304
FI (1):
H01J1/30 F
F-Term (5):
5C135AA02 ,  5C135AB06 ,  5C135AC02 ,  5C135GG10 ,  5C135HH02
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (10)
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Cited by examiner (4)
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