多成分系薄膜及びその形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：磯野道造
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002131493
Publication number (International publication number)：2002367982
Application date： May. 07, 2002
Publication date： Dec. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】多成分系薄膜及びその形成方法を提供する。【解決手段】反応チャンバに基板をローディングした後、前記基板上に形成しようとする薄膜を構成する単位物質層を形成するが、前記単位物質層は少なくとも前記薄膜を構成する物質成分を含む2種の前駆体よりなるモザイク原子層で形成する第1段階と、前記反応チャンバの内部をパージする第2段階及び前記モザイク原子層を化学変化させる第3段階を通じて形成することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

反応チャンバに基板をローディングした後、前記基板上に単位物質層を形成する際に、前記単位物質層が前記薄膜を構成する物質成分を含む少なくとも2種の前駆体よりなるモザイク原子層となるように形成する第1段階と、前記反応チャンバの内部をパージする第2段階と、前記モザイク原子層を化学変化させる第3段階とを含むことを特徴とする多成分系薄膜形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 , C23C 16/44

FI (2)：

H01L 21/316 C , C23C 16/44 A

F-Term (12)：

4K030BA42 , 4K030FA06 , 4K030FA10 , 4K030FA14 , 4K030HA01 , 4K030HA06 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BF02 , 5F058BF07 , 5F058BF17 , 5F058BF73

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (13)

ドープジルコニアまたはジルコニア様の誘電体膜トランジスタ構造およびその堆積方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-142471 Applicant：シャープ株式会社
薄膜形成方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-503921 Applicant：ジニテックインク.
特開昭63-017293

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Cited by examiner (15)

ドープジルコニアまたはジルコニア様の誘電体膜トランジスタ構造およびその堆積方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-142471 Applicant：シャープ株式会社
アルミニウムをドープしたジルコニウム誘電体膜のトランジスタ構造およびその堆積方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-215186 Applicant：シャープ株式会社
薄膜形成方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-503921 Applicant：ジニテックインク.

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