Pat
J-GLOBAL ID:200903099383657050
CNT(カーボンナノチューブ)チップ及びその製造方法、並びに電子銃及び走査型プローブ顕微鏡用探針
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
上野 登
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003037376
Publication number (International publication number):2004243490
Application date: Feb. 14, 2003
Publication date: Sep. 02, 2004
Summary:
【課題】耐久性及び信頼性に優れたCNTチップ、及びこのようなCNTチップを高い作業効率で製造可能なCNTチップの製造方法、並びに、このようなCNTチップを用いた電子銃及びSPM用探針を提供すること。【解決手段】本発明に係るCNTチップ10は、その先端に先鋭部12bを有し、かつ少なくとも先鋭部12bの先端部分がSiCからなる支持体12と、先鋭部12bの最先端部分を構成していたCNT生成部12cを表面分解させることによって先鋭部12bの先端に成長させた少なくとも1本のカーボンナノチューブ14とを備えている。このようなCNTチップ10は、少なくとも先鋭部12bの先端部分がSiCからなり、かつ先鋭部12bの最先端に微小表面12dを有する支持体12を基材30から作製し、先鋭部12bの最先端部分を構成するCNT生成部12cを表面分解させることにより得られる。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
その先端に先鋭部を有し、かつ少なくとも前記先鋭部の先端部分がSiCからなる支持体と、
前記先鋭部の最先端部分を構成していたCNT生成部を表面分解させることによって前記先鋭部の先端に成長させた少なくとも1本のカーボンナノチューブとを備えたCNTチップ。
IPC (3):
B82B1/00
, B82B3/00
, G01N13/10
FI (3):
B82B1/00
, B82B3/00
, G01N13/10 A
F-Term (7):
4G146AA11
, 4G146AC03B
, 4G146BB23
, 4G146BC27
, 4G146BC34B
, 4G146BC37B
, 4G146BC38B
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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電界電子放出装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-265044
Applicant:株式会社ノリタケカンパニーリミテド, 財団法人ファインセラミックスセンター
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電界放出型電子放出素子及びその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-204011
Applicant:株式会社リコー
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電界電子放出装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-058862
Applicant:株式会社ノリタケカンパニーリミテド, 財団法人ファインセラミックスセンター
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Cited by examiner (6)
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カーボンナノチューブ、カーボンナノチューブ膜、カーボンナノチューブ膜付SiC基板、並びにカーボンナノチューブ付ウィスカー及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-059295
Applicant:財団法人ファインセラミックスセンター
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電界電子放出装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-265044
Applicant:株式会社ノリタケカンパニーリミテド, 財団法人ファインセラミックスセンター
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カーボン・ナノチューブ作成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-379334
Applicant:株式会社東北テクノアーチ
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電界放出型電子放出素子及びその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-204011
Applicant:株式会社リコー
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電界電子放出装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-058862
Applicant:株式会社ノリタケカンパニーリミテド, 財団法人ファインセラミックスセンター
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電界電子放出装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-006888
Applicant:株式会社ノリタケカンパニーリミテド, 財団法人ファインセラミックスセンター
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Article cited by the Patent:
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (7)
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