半導体装置、及び半導体装置の作製方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010262065
Publication number (International publication number)：2011135061
Application date： Nov. 25, 2010
Publication date： Jul. 07, 2011
Summary：

【課題】配線抵抗に伴う電圧降下や信号遅延によるトランジスタへの信号の書き込み不良を防止した半導体装置を提供することを課題の一つとする。例えば、表示装置の画素に設けたトランジスタへの書き込み不良が引き起こす階調不良などを防止し、表示品質の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。【解決手段】配線抵抗が低い銅を含む配線に、バンドギャップが広く、且つキャリア濃度が低い高純度化された酸化物半導体を接続してトランジスタを作製すればよい。バンドギャップが広い酸化物半導体を用いて、トランジスタのオフ電流を低減するだけでなく、キャリア濃度が低い高純度化された酸化物半導体を用いて正のしきい値電圧を有し、所謂ノーマリーオフ特性のトランジスタとして、オフ電流とオン電流の比を大きくできる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に窒化珪素を含む絶縁性の下地膜と、前記下地膜上に第1の導電層からなるゲート電極と、前記ゲート電極上に窒化珪素を含む第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上に高純度化された酸化物半導体層と、前記ゲート電極上に端部を重畳し、前記高純度化された酸化物半導体層に接する第2の導電層からなるソース電極及びドレイン電極を有し、前記第2の導電層と前記高純度化された酸化物半導体層上に窒化珪素を含む第2の絶縁層を有し、前記第1の導電層で形成されるゲート配線と、前記第2の導電層で形成されるソース配線を有し、前記第1の導電層、及び前記第2の導電層が銅を主成分とする導電層を含み、前記高純度化された酸化物半導体層のキャリア濃度が、1×1012cm-3未満である半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/28

FI (7)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 616U , H01L29/78 618A , H01L29/78 616V , H01L29/78 617M , H01L21/28 301R , H01L21/28 301B

F-Term (105)：

4M104AA03 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD51 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104DD63 , 4M104FF13 , 4M104FF18 , 4M104GG08 , 4M104HH16 , 5F110AA03 , 5F110AA05 , 5F110AA14 , 5F110AA26 , 5F110BB02 , 5F110BB03 , 5F110BB10 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD07 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE30 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG14 , 5F110GG16 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG33 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HL01 , 5F110HL07 , 5F110HL09 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN36 , 5F110NN73 , 5F110QQ06 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-102492 Applicant：出光興産株式会社
表示装置及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-298961 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜トランジスタ及びその製法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2007-545474 Applicant：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社

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