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J-GLOBAL ID：200903093281748754

窒化物半導体基板の製造方法と窒化物半導体基板

Inventor：
松本 直樹

About 松本 直樹


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (1)： 川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003370430
Publication number (International publication number)：2005136167
Application date： Oct. 30, 2003
Publication date： May. 26, 2005
Summary：
【課題】 異種下地基板の上に気相成長法によってGaN膜を生成し下地基板を除去して作ったGaN単独膜は、熱伝導率や格子定数の違いのために反りが大きくて±40μm〜±100μmにもなる。それではフォトリソグラフィでデバイスを製造するのが難しいので反りを+30μm〜-20μmに減少させるのが目的である。【解決手段】 凹型に反った方の面を研削して加工変質層を与える。加工変質層はその面を広げる作用を持ち、その面が凸型になる。凸型になった面の加工変質層をエッチングで除去して反りを減らす。あるいは凸型になった面とは反対側の凹面を研削して加工変質層を発生させる。加工変質層によって凹面が凸面になればエッチングによって加工変質層を適当に除去して反りを減らす。【選択図】 図5
Claim (excerpt)：
反りのある窒化物半導体基板の凹の面を機械研削し加工変質層を導入することによって凹の面を延ばし平坦に近づけ反りを低減することを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。
IPC (5)：
H01L21/304 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065
FI (6)：
H01L21/304 631 ,  H01L21/304 622W ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 105B ,  H01L21/306 B
F-Term (21)：
5F004AA11 ,  5F004DA04 ,  5F004DB00 ,  5F004FA06 ,  5F043AA05 ,  5F043BB10 ,  5F043DD30 ,  5F043FF07 ,  5F043GG10 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AC07 ,  5F045BB01 ,  5F045GH09 ,  5F045HA11 ,  5F045HA12 ,  5F052CA01 ,  5F052DB01 ,  5F052DB06 ,  5F052KA01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (10)
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Cited by examiner (2)

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