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J-GLOBAL ID：201303031686866280
金属酸化物を含むヘテロ接合を有する構造体
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012188977
Publication number (International publication number)：2013075356
Application date： Aug. 29, 2012
Publication date： Apr. 25, 2013
Summary：
【課題】下地の化学反応性や結晶性や原子レベルに薄い炭素固体のような薄さに制限されず、高い結晶性を持ち、所望の方向に結晶に配向でき、界面に特性を阻害する反応層ができず、歪、転位、欠陥や微細加工による損傷を回避して、物質本来の高特性を引き出せる安定なヘテロ構造の構成と、その製法を得る。これにより、高機能を持つ、結晶性金属酸化物を用いるナノスケールヘテロ構造を安価に得る。【解決手段】金属酸化物と共有結合性物質を、既に結晶格子を組んでいる状態で、原子レベルで接近させてヘテロ接合を形成する。特に、活性酸素照射で清浄化した該金属酸化物の表面と、該共有結合性物質の清浄化表面を接近させる。これにより、界面の一部の原子同士のみの共有結合、特に酸素と共有結合性物質中の元素の共有結合に担われるヘテロ接合ができ、上記の課題を達成する。【選択図】図1a
Claim (excerpt)：
構造体に含まれる少なくとも一つのヘテロ接合が、
金属酸化物と共有結合性物質から構成され、
該ヘテロ接合が、該金属酸化物上の該共有結合性物質の堆積による場合は、該共有結合性物質が結晶性、
該ヘテロ接合が、該共有結合性物質上の該金属酸化物の堆積による場合は、該金属酸化物が結晶性であり、
該金属酸化物の表面の酸素原子の一部と、
該共有結合性物質の表面の構成原子の一部が、
共有結合的に結合して隣接することを特徴とする構造体。
IPC (1)：
FI (1)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (12)
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特開平3-238744
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特開平4-045577
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FET素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平4-298965
Applicant：三菱化成株式会社
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エッチング方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-055956
Applicant：三菱化学株式会社
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反射鏡およびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-290872
Applicant：松下電工株式会社
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層状物質材料の加工方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-216413
Applicant：三洋電機株式会社, 工業技術院長
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半導体装置製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-337864
Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
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特開昭63-138739
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有機EL用薄膜製造装置および方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2001-402147
Applicant：森田達夫
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ナノカーボン材料の積層基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2005-295578
Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構, 凸版印刷株式会社
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ZnO系基板及びZnO系基板の処理方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2008-021503
Applicant：ローム株式会社, 国立大学法人東北大学
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金属酸化物を含むへテロ構造の作製法及び該金属酸化物の製造法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2010-061198
Applicant：渡部行男
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