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J-GLOBAL ID：201303068880257244

高分子化合物の製造方法、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法

Inventor：
塩野 大寿

About 塩野 大寿

, 
平野 智之

About 平野 智之

, 
太宰 尚宏

About 太宰 尚宏


Applicant, Patent owner：
東京応化工業株式会社

About 東京応化工業株式会社


Agent (4)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  五十嵐 光永
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011256383
Publication number (International publication number)：2013108030
Application date： Nov. 24, 2011
Publication date： Jun. 06, 2013
Summary：
【課題】ディフェクトの発生が低減され、リソグラフィー特性に優れたレジスト組成物の基材成分として有用な高分子化合物の製造方法、並びに当該高分子化合物を含有するレジスト組成物、及び当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】少なくとも、-SO2-含有環式基を含むモノマーと、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含むモノマーとを共重合して高分子化合物(但し、該高分子化合物は露光により酸を発生するモノマーから誘導される構成単位を含まない)を製造する方法であって、前記共重合を、前記-SO2-含有環式基を含むモノマーに対して、0.001〜1.0モル%の塩基性化合物の存在下で行うことを特徴とする高分子化合物の製造方法。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
少なくとも、-SO2-含有環式基を含むモノマーと、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含むモノマーとを共重合して高分子化合物(但し、該高分子化合物は露光により酸を発生するモノマーから誘導される構成単位を含まない)を製造する方法であって、 前記共重合を、前記-SO2-含有環式基を含むモノマーに対して、0.001〜1.0モル%の塩基性化合物の存在下で行うことを特徴とする高分子化合物の製造方法。
IPC (4)：
C08F 2/38 ,  C08F 220/38 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027
FI (4)：
C08F2/38 ,  C08F220/38 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
F-Term (44)：
2H125AF18P ,  2H125AF38P ,  2H125AH16 ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AH23 ,  2H125AH24 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ69X ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN54P ,  2H125AN63P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125EA01P ,  2H125FA03 ,  4J011AA05 ,  4J011CC10 ,  4J011NA13 ,  4J011NA26 ,  4J011NB05 ,  4J011NB06 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA03R ,  4J100BA15P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC08R ,  4J100BC53R ,  4J100BC84P ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (11)
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