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J-GLOBAL ID：201403022752267773

圧電薄膜共振子

Inventor：
恩田 陽介

About 恩田 陽介


Applicant, Patent owner：
太陽誘電株式会社

About 太陽誘電株式会社


Agent (1)： 片山 修平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012276177
Publication number (International publication number)：2014121025
Application date： Dec. 18, 2012
Publication date： Jun. 30, 2014
Summary：
【課題】Q値や結合係数といった特性の劣化を抑制すること。【解決手段】本発明は、基板10と、基板10上に設けられ、添加元素を含有する窒化アルミニウム膜からなる第1膜14aと、第1膜14aの上面及び下面に設けられ、第1膜14aよりも添加元素の濃度が低い窒化アルミニウム膜からなる第2膜14bと、を有する圧電膜14と、圧電膜14を挟んで設けられた下部電極12及び上部電極16と、を備える圧電薄膜共振子である。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板と、 前記基板上に設けられ、添加元素を含有する窒化アルミニウム膜からなる第1膜と、前記第1膜の上面及び下面に設けられ、前記第1膜よりも前記添加元素の濃度が低い窒化アルミニウム膜からなる第2膜と、を有する圧電膜と、 前記圧電膜を挟んで設けられた下部電極及び上部電極と、 を備えることを特徴とする圧電薄膜共振子。
IPC (4)：
H03H 9/17 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/09
FI (4)：
H03H9/17 F ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/08 C
F-Term (6)：
5J108BB08 ,  5J108CC11 ,  5J108EE03 ,  5J108EE04 ,  5J108EE07 ,  5J108KK01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
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Cited by examiner (9)
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