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J-GLOBAL ID:201403041415324573
下地剤及びパターン形成方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (4):
棚井 澄雄
, 志賀 正武
, 鈴木 三義
, 五十嵐 光永
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2013260594
Publication number (International publication number):2014185318
Application date: Dec. 17, 2013
Publication date: Oct. 02, 2014
Summary:
【課題】下地剤、及び該下地剤を用いたブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法の提供。【解決手段】基板1上に形成した複数種類のブロックが結合したブロックコポリマー3を含む層を相分離させるために用いられる下地剤2であって、樹脂成分を含有し、該樹脂成分が、芳香族基を有する構成単位と、ヒドロキシアルキル基を有する構成単位と、芳香族基及びヒドロキシアルキル基を有しない構成単位と、を含むことを特徴とする下地剤。【選択図】図1
Claim (excerpt):
基板上に形成した複数種類のブロックが結合したブロックコポリマーを含む層を相分離させるために用いられる下地剤であって、
樹脂成分を含有し、該樹脂成分が、
芳香族基を有する構成単位と、
ヒドロキシアルキル基を有する構成単位と、
芳香族基及びヒドロキシアルキル基を有しない構成単位と、
を含むことを特徴とする下地剤。
IPC (7):
C09D 201/00
, B82Y 30/00
, B82Y 40/00
, C09D 5/00
, B05D 5/04
, B05D 7/24
, B05D 1/36
FI (7):
C09D201/00
, B82Y30/00
, B82Y40/00
, C09D5/00 D
, B05D5/04
, B05D7/24 302E
, B05D1/36 Z
F-Term (18):
4D075AE03
, 4D075BB21Z
, 4D075CB38
, 4D075DA06
, 4D075DB14
, 4D075DC22
, 4D075EA41
, 4D075EB11
, 4D075EB14
, 4D075EB22
, 4J038CC021
, 4J038CC071
, 4J038CG031
, 4J038CG041
, 4J038CG171
, 4J038GA03
, 4J038PB09
, 4J038PB11
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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下層組成物および下層を像形成する方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2011-211852
Applicant:ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー., ダウグローバルテクノロジーズエルエルシー
-
下層組成物および下層を像形成する方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2011-213653
Applicant:ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー., ダウグローバルテクノロジーズエルエルシー
-
パターン形成方法及びモールド
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2006-211745
Applicant:日本電信電話株式会社
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ブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2010-205890
Applicant:東京応化工業株式会社, 独立行政法人理化学研究所
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下地剤
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2010-205875
Applicant:東京応化工業株式会社, 独立行政法人理化学研究所
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相分離構造を有する層を表面に備える基板の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2011-089091
Applicant:東京応化工業株式会社, 独立行政法人理化学研究所
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高分子ナノ構造体を表面に備える基板及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2010-268532
Applicant:独立行政法人理化学研究所, 東京応化工業株式会社
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レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2007-079147
Applicant:富士フイルム株式会社
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