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J-GLOBAL ID:201403048385267051
プラズマ処理装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
特許業務法人京都国際特許事務所
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2010243671
Publication number (International publication number):2011071123
Patent number:5635367
Application date: Oct. 29, 2010
Publication date: Apr. 07, 2011
Claim (excerpt):
【請求項1】 a) 真空容器と、
b) 前記真空容器の壁の内面と外面の間に、該内面から、該壁を貫通させることなく孔を設けることにより該壁の外面側を残して形成され、前記真空容器の内部に対して常時閉鎖されている空洞であるアンテナ配置部と、
c) 前記アンテナ配置部に配置された誘導結合型の高周波アンテナと、
d) 前記アンテナ配置部と前記真空容器の内部を仕切る誘電体製の仕切材と、
を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (1):
FI (1):
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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薄膜形成装置及び薄膜形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-065763
Applicant:株式会社シンクロン
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プラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2009-057328
Applicant:株式会社イー・エム・ディー
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プラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-303464
Applicant:東京エレクトロン株式会社
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大きい領域を有するプラズマ源における均一ガス分布
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2001-527314
Applicant:ユーロピアンコミュニティ(イーシー)
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高周波放電装置およびプラズマ処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-258235
Applicant:株式会社日立製作所
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プラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-098109
Applicant:三井造船株式会社
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プラズマ処理装置及びアンテナの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-070871
Applicant:アネルバ株式会社
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プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2007-132918
Applicant:株式会社東芝
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