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J-GLOBAL ID：201403067564250859

半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体基板、および半導体基板の製造方法

Inventor： 秦 雅彦 ,  福原 昇 ,  山田 永 ,  高木 信一 ,  杉山 正和 ,  竹中 充 ,  安田 哲二 ,  宮田 典幸 ,  板谷 太郎 ,  石井 裕之 ,  大竹 晃浩 ,  奈良 純
Applicant, Patent owner： 住友化学株式会社 ,  国立大学法人 東京大学 ,  独立行政法人産業技術総合研究所 ,  独立行政法人物質・材料研究機構
Agent (2)： 龍華国際特許業務法人 ,  林 茂則
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2009269920
Publication number (International publication number)：2010161349
Patent number：5599089
Application date： Nov. 27, 2009
Publication date： Jul. 22, 2010
Claim (excerpt)：

【請求項1】 閃亜鉛鉱型の結晶構造を有する3-5族化合物半導体と、 前記3-5族化合物半導体の(111)面、前記(111)面と等価な面、または、前記(111)面もしくは前記(111)面と等価な面から傾いたオフ角を有する面に接し、Al2O3からなる絶縁性材料と、 前記絶縁性材料に接し、金属伝導性材料を含むMIS型電極と を備える半導体装置。

IPC (8)：

H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/762 ( 200 6.01) ,  H01L 21/76 ( 200 6.01) ,  H01L 21/20 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/316 ( 200 6.01)

FI (14)：

H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 Q ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 E ,  H01L 29/78 620 ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 617 N ,  H01L 21/76 D ,  H01L 21/76 E ,  H01L 29/78 618 C ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 X

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

• 特開平4-082275
  
• 特開平2-010825
  
• 特開平4-162614
  
• III-V族化合物半導体ウェハおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-344914   Applicant：住友電気工業株式会社
• 有機金属気相成長法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-317383   Applicant：ソニー株式会社
• SAM型アバランシフォトダイオード及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-346425   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-336062   Applicant：株式会社東芝
• ハイブリッド・チャネル配向を有するCMOSデバイスおよびファセット形成エピタキシを用いてハイブリッド・チャネル配向を有するCMOSデバイを作製するための方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-135089   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-260317   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-169631   Applicant：セイコーエプソン株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所, 株式会社ルネサステクノロジ
• 特開昭56-157063
  
• 特開昭58-164269