半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体基板、および半導体基板の製造方法

Inventor： , , , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： , , ,
Agent (2)：龍華国際特許業務法人 , 林茂則
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2009269920
Publication number (International publication number)：2010161349
Patent number：5599089
Application date： Nov. 27, 2009
Publication date： Jul. 22, 2010
Claim (excerpt)：

【請求項1】閃亜鉛鉱型の結晶構造を有する3-5族化合物半導体と、前記3-5族化合物半導体の(111)面、前記(111)面と等価な面、または、前記(111)面もしくは前記(111)面と等価な面から傾いたオフ角を有する面に接し、Al2O3からなる絶縁性材料と、前記絶縁性材料に接し、金属伝導性材料を含むMIS型電極とを備える半導体装置。

IPC (8)：

H01L 29/78 ( 200 6.01) , H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 29/786 ( 200 6.01) , H01L 21/762 ( 200 6.01) , H01L 21/76 ( 200 6.01) , H01L 21/20 ( 200 6.01) , H01L 21/205 ( 200 6.01) , H01L 21/316 ( 200 6.01)

FI (14)：

H01L 29/78 301 B , H01L 29/78 301 Q , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 618 E , H01L 29/78 620 , H01L 29/78 618 A , H01L 29/78 617 T , H01L 29/78 617 N , H01L 21/76 D , H01L 21/76 E , H01L 29/78 618 C , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 21/316 X

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (12)

特開平2-010825
特開平4-162614
III-V族化合物半導体ウェハおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-344914 Applicant：住友電気工業株式会社