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J-GLOBAL ID：201403097777401199

マスクブランクス及びフォトマスク

Inventor：
服部 功

About 服部 功


Applicant, Patent owner：
クリーンサアフェイス技術株式会社

About クリーンサアフェイス技術株式会社


Agent (1)： 保立 浩一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012228448
Publication number (International publication number)：2014081449
Application date： Oct. 15, 2012
Publication date： May. 08, 2014
Summary：
【課題】 静電破壊が効果的に防止された構造のフォトマスクが製作できるマスクブランクスを提供する。【解決手段】 マスク基板1の一方の側の全面を覆って静電破壊防止膜2が形成され、静電破壊防止膜2の上に遮光膜3が形成されている。遮光膜3をパターン化することでフォトマスクが製作される。静電破壊防止膜2は、チタン、チタン化合物、タンタル又はタンタル化合物から成る膜であって、露光波長の光に対する透過率が75%以上であり、100KΩ/□以下のシート抵抗値を有する。静電破壊防止膜2がチタン化合物又はタンタル化合物から成る場合、アルゴンガスに酸素ガス、酸素ガス及び窒素ガス、又は炭酸ガス及び窒素ガスを添加したガスを用いてスパッタリングにより作成される。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
マスク基板と、マスク基板の一方の側の全面を覆って形成された静電破壊防止膜と、静電破壊防止膜の上に形成された遮光膜とから成り、 静電破壊防止膜は、チタン、チタン化合物、タンタル又はタンタル化合物から成る膜であって、露光波長の光に対する透過率が75%以上であり、100KΩ/□以下のシート抵抗値を有していることを特徴とするマスクブランクス。
IPC (1)：
G03F 1/40
FI (1)：
G03F1/40
F-Term (2)：
2H095BB25 ,  2H095BC17
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (10)
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Cited by examiner (10)
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