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J-GLOBAL ID：200903066925438630

マスクブランク及び転写用マスクの製造方法

Inventor：
小湊 淳志

About 小湊 淳志

, 
鈴木 寿幸

About 鈴木 寿幸

, 
大久保 靖

About 大久保 靖


Applicant, Patent owner：
HOYA株式会社

About HOYA株式会社


Agent (1)： 藤村 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007287272
Publication number (International publication number)：2009115957
Application date： Nov. 05, 2007
Publication date： May. 28, 2009
Summary：
【課題】チャージアップを生じさせないようエッチングマスク膜を基板端面へ成膜させることなく、かつ、アライメントマークの欠けを生じさせないようエッチングマスク膜の成膜範囲を広げることができるマスクブランクの製造方法及びマスクブランクを提供する。【解決手段】電子線描画により電子線レジスト4のレジストパターンを形成する電子線描画用のマスクブランクであって、透明基板1上に、遮光膜2と、前記遮光膜のエッチングに対して耐性を有する無機系材料からなるエッチングマスク膜3がこの順に形成されたマスクブランクの製造方法であって、 前記エッチングマスク膜3を成膜する際に、前記基板の少なくとも側面には成膜されないように遮蔽板にて遮蔽することを特徴とする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
電子線描画によりレジストパターンを形成する電子線描画用のマスクブランクであって、透明基板上に、遮光膜と、前記遮光膜のエッチングに対して耐性を有する無機系材料からなるエッチングマスク膜がこの順に形成されたマスクブランクの製造方法であって、 前記エッチングマスク膜を成膜する際に、前記基板の少なくとも側面には成膜されないように遮蔽板にて遮蔽することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
IPC (1)：
G03F 1/08
FI (1)：
G03F1/08 L
F-Term (4)：
2H095BB09 ,  2H095BB10 ,  2H095BB25 ,  2H095BC16
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (19)
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Cited by examiner (21)
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